[发明专利]一种非易失性存储器的修复方法及装置

说明书

本发明的实施方式提供了一种非易失性存储器的修复方法及装置，方法包括：将多个存储单元中的故障存储单元映射到修复存储单元；将修复控制器电连接至修复存储单元，并在上电初始化时将固化于修复存储单元的第一数据存入第一数据区，以及将待写入修复存储单元的第二数据存入第二数据区，并将第二数据区的第二数据写回至修复存储单元。保证了从修复空间中读取的数据不会再次写回修复存储单元的数据，进一步提高了存储器的良率。

技术领域

本发明涉及存储器领域，具体涉及一种非易失性存储器的修复方法及装置。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

非易失性存储器在制造过程中不可避免的存在坏点，使得良品率降低，进一步增加了芯片设计开发成本。因此在芯片出厂测试过程中，通常采用预置的冗余存储单元替换已检测到的故障存储单元，在外部访问错误地址时，自动对照和映射地址，从而完成修复的目的。实现对相应冗余存储空间的访问，以替换原先的缺陷空间。

现有技术中，在上电初始化阶段，会将修复空间的数据读入内存以启动CPU，而当CPU启动后，向修复空间新写入数据时，系统会将内存中的所有数据一并写回非易失性存储器的修复存储空间中，并不区分新写入的数据与已经固化在修复空间中的数据，这样会导致从非易失性存储器的修复空间中读出的数据重新烧写回该存储器的同一地址的相同位，而针对任一bit存储空间而言，每一次进行编程操作都会施加一次编程高压，进一步对该bit存储空间造成损伤，导致非易失性存储器的寿命降低。

具体地，假设非易失性存储器的修复存储空间的某一地址内已经存储有数据A(0101_0101),那么，在上电初始化阶段，该数据A(0101_0101)会被读取至系统内存，以供CPU启动使用，CPU启动后，若开发人员想要向该地址继续写入数据B(0000_0010)时，则会首先将数据写入内存中，与原有的数据A组合成为数据C(0101_0111)，而后将内存中的数据C整体写回非易失性存储器的指定地址。其中，上述写入数据均为二进制表达形式，也即直接对一指定的比特位执行写操作。

特别地，当该非易失性存储器为OTP存储器(One Time Programmable，一次性可编程存储器)，上述存在的问题尤为重要。由于OTP存储器的每位信息都是一次性写入，不可重写，因此开发者在对OTP存储器内存储的数据进行修改时，必然会采取上述对选定的比特位进行编程的方式对数据进行有计划的改写。值得注意的是，上述继续写入以修改数据步骤中并不尝试从逻辑“1”到逻辑“0”来复位存储器的任何位，因为这种改变是不可能的。

发明内容

针对现有技术中存在的向非易失性存储器的修复空间写入数据时，并不区分新写入的数据与从修复空间中读取的数据，导致从非易失性存储器的修复空间中读出的数据重新烧写回该存储器的同一地址的相同位，进而造成存储器寿命降低的问题。本发明的实施例提出一种非易失性存储器的修复方法及装置，用于解决现有技术中存在的上述问题。

依据本发明的第一方面，提出一种非易失性存储器的修复方法，所述非易失性存储器至少包括具有多个存储单元的主存储阵列，其中，其特征在于，所述修复方法包括：

将所述多个存储单元中的故障存储单元映射到修复存储单元；

将修复控制器电连接至所述修复存储单元，所述修复控制器在上电初始化时将固化于所述修复存储单元的第一数据存入第一数据区；以及将待写入所述修复存储单元的第二数据存入第二数据区，并将所述第二数据区的第二数据写回至修复存储单元。

在一种实施方式中，其中，将所述多个存储单元中的故障存储单元映射到修复存储单元进一步包括：

通过将所述故障存储单元的地址存储至所述修复存储单元以建立所述故障存储单元与所述修复存储单元之间的对应关系。