[发明专利]一种基准源有效

专利信息
申请号: 201811147962.4 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN108919876B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 姚娇娇;舒清明;胡洪;卜尔龙 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基准
【说明书】:

发明公开了一种基准源。该基准源包括第一电流产生电路、第二电流产生电路和电流相减电路,第一电流产生电路的第一输入端与第一电源线电连接,第二输入端与第二电源线电连接,第二电流产生电路的第一输入端与第一电源线电连接,第二输入端与第二电源线电连接,电流相减电路的第一输入端与第一电源线电连接,第二输入端与第二电源线电连接,第一控制端与第一电流产生电路的输出端电连接,第二控制端与第二电流产生电路的输出端电连接。本发明消除了第一电源线和第二电源线的电压变化对电流源电流产生的影响,提高了基准源的线性调整率。

技术领域

本发明实施例涉及电子技术领域,尤其涉及一种基准源。

背景技术

随着便携式设备和无线传感器网络的发展普及,低功耗和低电压的电压源电路受到了广泛的关注。其中,基准源电路作为模拟电路和混合信号应用的关键部分,对其低功耗和低电压的研究也得到了较大的发展。

传统的电压源电路使用BJT(Bipolar Junction Transistor)来实现,由于BJT具有较好的I-V特性,使其对PVT(Process,Voltage,Temperature;工艺,电压,温度)的变化不敏感。然而,BJT具有较高的阈值(约700mV),这意味着需要更高的电源电压。随着工艺节点的缩减,亚阈值的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FET,MOSFET,简称MOS管),需要的电源电压较低,相对于BJT管具有低功耗和低电压的优势。然而,相对于采用BJT管,现有的基准源采用工作在亚阈值区的MOS管,其阈值电压随PVT的变化明显,存在具有较低的线性调整率的问题。

发明内容

本发明提供了一种基准源,以提高基准源的线性调整率。

本发明实施例提供了一种基准源,该基准源包括第一电流产生电路、第二电流产生电路、电流相减电路、输出级电路、第一电源线和第二电源线;

所述第一电流产生电路的第一输入端与所述第一电源线电连接,第二输入端与所述第二电源线电连接;

所述第二电流产生电路的第一输入端与所述第一电源线电连接,第二输入端与所述第二电源线电连接;

所述电流相减电路的第一输入端与所述第一电源线电连接,第二输入端与所述第二电源线电连接,第一控制端与所述第一电流产生电路的输出端电连接,第二控制端与所述第二电流产生电路的输出端电连接;

所述输出级电路的第一输入端与所述电流相减电路的第一电流输出端电连接,第二输入端与所述电流相减电路的第二电流输出端电连接,第三输入端与所述第二电源线电连接,所述输出级电路的输出端作为所述基准源的输出端。

本发明设置基准源包括第一电流产生电路、第二电流产生电路和电流相减电路,第一电流产生电路的第一输入端与第一电源线电连接,第二输入端与第二电源线电连接,第二电流产生电路的第一输入端与第一电源线电连接,第二输入端与第二电源线电连接,电流相减电路的第一输入端与第一电源线电连接,第二输入端与第二电源线电连接,第一控制端与第一电流产生电路的输出端电连接,第二控制端与第二电流产生电路的输出端电连接。与现有技术相比,本发明将第一电流产生电路控制输出的第一电流和第二电流产生电路控制输出的第二电流相减,消除了第一电源线和第二电源线的电压变化对电流源电流产生的影响,提高了基准源的线性调整率。另外,本发明实施例不会抬高最低电源电压,因此功耗较低,符合基准源低电压和低功耗的发展趋势。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基准源的电路图;

图2为本发明实施例提供的一种电流源电路的电路图;

图3为本发明实施例提供的另一种电流源电路的电路图;

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