[发明专利]半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；

2)对所述沟槽底部及侧壁进行离子注入，以在所述沟槽的底部及侧壁形成掺杂介质层；

3)在所述沟槽内形成第一介质层，所述第一介质层的上表面低于所述半导体衬底的上表面；

4)在所述沟槽未被所述第一介质层覆盖的侧壁上生长衬底延伸层，所述衬底延伸层位于所述第一介质层上方并暴露所述第一介质层的部分表面；及

5)在所述第一介质层及所述衬底延伸层的表面形成第二介质层，所述第二介质层至少填满所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤1)中，于所述衬底内形成所述沟槽的步骤包含以下步骤：

1-1)在所述半导体衬底的表面沉积刻蚀阻挡层，并对所述刻蚀阻挡层进行图形化处理；及

1-2)以所述刻蚀阻挡层作为刻蚀掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，并在所述半导体衬底内形成所述沟槽。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤2)中，注入的离子包括氧离子。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤2)中，注入的离子还包括硼离子或氯离子中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤2)中，在所述沟槽的底部及侧壁形成所述掺杂介质层后，还包括对所述掺杂介质层进行快速热处理工艺的步骤。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤3)中，在所述沟槽内形成第一介质层包含以下步骤：

3-1)在所述沟槽内填充所述第一介质层，所述第一介质层至少填满所述沟槽；及

3-2)对所述第一介质层进行回刻，以使得所述第一介质层的上表面低于所述半导体衬底的上表面。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤4)中所形成的所述衬底延伸层的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在步骤4)中，所生长的所述衬底延伸层的材料与所述半导体衬底的材料相同。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

沟槽，形成于所述半导体衬底内；

掺杂介质层，形成于所述沟槽的底部及侧壁；

第一介质层，形成于所述沟槽内，所述第一介质层的上表面低于所述半导体衬底的上表面；

衬底延伸层，形成于所述沟槽未被所述第一介质层覆盖的侧壁上，并延伸覆盖所述第一介质层的部分表面；及

第二介质层，形成于所述第一介质层及所述衬底延伸层的表面，并至少填满所述沟槽。

10.根据权利要求9所述的一种半导体结构，其特征在于，所述掺杂介质层通过在所述沟槽的底部及侧壁进行离子注入并进行快速热处理后形成。

11.根据权利要求10所述的一种半导体结构，其特征在于，所述掺杂介质层中注入的离子包括氧离子。

12.根据权利要求11所述的一种半导体结构，其特征在于，所述掺杂介质层中注入的离子还包括硼离子或氯离子中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的一种半导体结构，其特征在于，所述衬底延伸层的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平。

14.根据权利要求9所述的一种半导体结构，其特征在于，所述衬底延伸层的材料与所述半导体衬底的材料相同。