[发明专利]芯片制造过程中的缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201811144002.2 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109211924A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吴苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺层 缺陷分布图 缺陷检测 芯片制造过程 前层 版图设计 对准标记 阶段设计 缺陷分析 芯片制造 原点坐标 原点 扣除 | ||
1.一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记，所述原点对准标记的在芯片中的位置相同，所述原点对准标记用于在对应的工艺层的缺陷检测过程中定义出原点坐标；
步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一所述工艺层完成之后需进行缺陷检测；缺陷检测的分步骤包括：
步骤21、令所述缺陷检测对于的工艺层为当前工艺层；根据所述当前工艺层的原点对准标记确定所述当前工艺层的原点坐标；
步骤22、进行所述缺陷检测得到所述当前工艺层的第一缺陷分布图；
步骤23、判断所述当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以步骤22得到的第一缺陷分布图作为所述当前工艺层的最终缺陷分布图；
如果具有前一层工艺层，则令所述当前工艺层的前一层工艺层为前层工艺层，则以步骤22得到的所述第一缺陷分布图扣除所述前层工艺层的最终缺陷分布图得到所述当前工艺层的最终缺陷分布图；
以所述当前工艺层的最终缺陷分布图作为所述当前工艺层的缺陷检测结果。
2.如权利要求1所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述芯片形成于半导体衬底上。
3.如权利要求2所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。
4.如权利要求3所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述原点对准标记设置在对应所述芯片的左上角。
5.如权利要求4所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述原点对准标记的形状为L型结构。
6.如权利要求5所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述原点对准标记的L型结构由连续的线组成。
7.如权利要求5所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述原点对准标记的L型结构由多个点排列而成。
8.如权利要求7所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述原点对准标记的具有由多个点排列而成的L型结构设置在接触孔和通孔对于的工艺层中。
9.如权利要求5所述的芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于：所述缺陷检测采用KLA缺陷检测设备进行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811144002.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：检测牙刷刷毛缺陷的检测装置
- 下一篇：一种凹印机在线双面检测装置
