[发明专利]用于从存储器位胞元读取数据的存储器系统和方法

权利要求书

1.一种存储器系统，其包括：

存储器位胞元，其包括：

存储电路，其经配置以存储数据，所述存储电路包括：

正电源轨；

负电源轨；以及

一或多个反相器，其各自包括耦合到下拉N型场效应晶体管NFET的上拉P型场效应晶体管PFET，其中所述一或多个反相器的每一上拉PFET耦合到所述正电源轨，且所述一或多个反相器的每一下拉NFET耦合到所述负电源轨；

以及

一或多个PFET存取晶体管，其耦合到所述存储电路；以及

所述一或多个PFET存取晶体管中的每一者包括栅极，所述栅极经配置以响应于读取操作而由字线激活以使得所述一或多个PFET存取晶体管将所述数据从所述存储电路传递到耦合到所述存储器位胞元的位线；

位线驱动器，其经配置以响应于所述读取操作而预放电耦合到所述存储器位胞元的所述位线；以及

读取辅助电路，其经配置以响应于所述读取操作而提升所述存储器位胞元中的电压以辅助将所述数据从所述存储电路传送到所述位线，所述读取辅助电路包括正电源轨正升压电路，所述正电源轨正升压电路耦合到所述一或多个反相器中的至少一个反相器的所述正电源轨，所述正电源轨正升压电路经配置以响应于所述读取操作而正提升所述正电源轨上的电压从而强化所述存储电路中的所述一或多个反相器。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述一或多个PFET存取晶体管包括：

耦合到所述存储电路的第一PFET存取晶体管，所述第一PFET存取晶体管包括第一栅极，所述第一栅极经配置以响应于所述读取操作而由所述字线激活以使得所述第一PFET存取晶体管将所述数据从所述存储电路传递到所述位线；以及

耦合到所述存储电路的第二互补PFET存取晶体管，所述第二互补PFET存取晶体管包括第二栅极，所述第二栅极经配置以响应于所述读取操作而由所述字线激活以使得所述第二互补PFET存取晶体管将与所述数据互补的互补数据从所述存储电路传递到互补位线。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中：

所述存储电路由存储节点和互补存储节点组成；

响应于针对所述读取操作的所述字线的激活，所述第一PFET存取晶体管经配置以将所述数据从所述存储节点传递到所述位线；以及

响应于针对所述读取操作的所述字线的激活，所述第二互补PFET存取晶体管经配置以将所述互补数据从所述互补存储节点传递到所述互补位线。

4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中：

所述正电源轨正升压电路经配置以响应于所述读取操作而将所述正电源轨上的所述电压正提升到超过耦合到所述正电源轨的电压源以强化所述存储电路中的所述一或多个反相器。

5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述正电源轨正升压电路经配置以响应于指示充电启用状态的充电控制信号而正充电所述正电源轨上的所述电压。

6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述正电源轨正升压电路包括升压发生器电路和耦合到所述升压发生器电路和所述正电源轨的电荷存储单元；

所述电荷存储单元经配置以存储电荷；以及

所述升压发生器电路经配置以：

在所述读取操作外产生待存储于所述电荷存储单元中的电荷；以及

响应于所述读取操作，将存储于所述电荷存储单元中的所述电荷耦合到所述正电源轨以正提升所述正电源轨上的所述电压。

7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述升压发生器电路由多个可编程电荷产生电路组成，所述可编程电荷产生电路各自经配置以响应于相应的可编程电荷信号而选择性地贡献存储于所述电荷存储单元中的所述电荷。