[发明专利]具有冷却真空密闭体的热壁反应器

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，包括：

室主体，所述室主体封闭处理空间，所述室主体包括室地板、与所述室地板耦合的室壁、及与所述室壁可移除地耦合的室盖，其中所述室地板、所述室壁及所述室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；

加热板，所述加热板与所述室地板相邻且间隔开来设置；

套管，所述套管与所述室壁相邻且间隔开来设置，所述套管由所述加热板而受支持；及

第一密封性元件，所述第一密封性元件在所述室壁及所述室盖之间的第一界面处设置。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述加热板由第一空隙与所述室地板间隔开来，其中所述套管由第二空隙与所述室壁间隔开来，且其中所述第一空隙与所述第二空隙流体沟通。

3.如权利要求2所述的设备，进一步包括净化气体通口，所述净化气体通口设置于所述室主体中以提供净化气体至所述第一空隙及所述第二空隙的至少一者。

4.如权利要求1至3的任一项所述的设备，其中所述套管包括：

下管道，所述下管道与上管道流体地耦合；及

穿过所述套管形成的多个开口，以提供所述处理空间及所述上管道间的流体沟通。

5.如权利要求4所述的设备，进一步包括排气系统，所述排气系统与所述下管道流体地耦合。

6.如权利要求1至3的任一项所述的设备，其中所述套管可由所述室主体移除。

7.如权利要求1至3的任一项所述的设备，进一步包括第二密封性元件，所述第二密封性元件在所述室壁及所述室地板之间的第二界面处设置。

8.如权利要求1至3的任一项所述的设备，进一步包括基板支持件，所述基板支持件设置于所述处理空间内，且支持垂直及旋转位移的至少一者。

9.如权利要求1至3的任一项所述的设备，其中所述室壁的内侧表面由所述室地板向外渐缩，且其中所述套管的外侧表面由所述加热板向外渐缩。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述室壁的所述内侧表面以一角度由所述室地板向外渐缩，所述角度从垂直形成约1度至约2度，且其中所述套管的所述外侧表面以一角度由所述加热板向外渐缩，所述角度介于约1度至2度间。