[发明专利]电容器件及其形成方法

权利要求书

1.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；

在所述第一层电极表面形成导电层，所述导电层具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度小于第一粗糙度；

在所述导电层表面形成电介质层；

在所述电介质层表面形成第二层电极。

2.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一层电极的材料为金属氮化物；所述第二层电极的材料为金属氮化物；所述第一层电极的厚度为100埃～1000埃；所述第二层电极的厚度为100埃～1000埃。

3.如权利要求2所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述金属氮化物包括：氮化钛、氮化钽、氮化铜、氮化钨、氮化铂、氮化铝、氮化镍或者氮化钴。

4.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一层电极的工艺包括原子层沉积工艺、等离子体化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、溅射沉积工艺、离子束沉积工艺或者离子束辅助沉积工艺；形成所述第二层电极的工艺包括原子层沉积工艺、等离子体化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、溅射沉积工艺、离子束沉积工艺或者离子束辅助沉积工艺。

5.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述导电层的厚度为10埃～1000埃。

6.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为金属。

7.如权利要求7所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料包括：铜、钴、镍、钛、钽、铝、钨或者铂。

8.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，形成所述导电层的工艺包括溅射沉积工艺、离子束沉积工艺或者离子束辅助沉积工艺。

9.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，形成第一层电极后，形成导电层前，还包括：对所述第一层电极表面进行第一表面处理；

所述第一表面处理包括：进行清洗处理，所述清洗工艺包括湿法清洗和干法清洗中的一种或者两种组合；所述清洗处理之后，进行惰性气体处理。

10.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，形成导电层后，形成电介质层前，还包括：对所述导电层表面进行第二表面处理；所述第二表面处理包括进行还原气体处理；所述还原气体包括氢气、一氧化碳、硫化氢、甲烷和一氧化硫中的一种或者几种组合。

11.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，形成所述电介质层后，形成第二层电极前，还包括：对所述电介质层表面进行第三表面处理；所述第三表面处理包括：进行清洗处理；所述清洗工艺湿法清洗和干法清洗中一种或者两种组合。

12.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述电介质层的材料为高K介电材料；所述电介质层的厚度为10埃～200埃。

13.如权利要求1所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述基底中具有半导体器件。

14.一种电容器件，其特征在于，包括：

基底，

位于所述基底上的第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；

位于所述第一层电极表面的导电层，所述导电层具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度小于第一粗糙度；

位于所述导电层表面的电介质层；

位于所述电介质层表面的第二层电极。