[发明专利]线锯用加工液供给喷嘴及向线锯供给加工液的方法

说明书

提供一种双重管构造的线锯用加工液供给喷嘴，前述线锯用加工液供给喷嘴能够在不被加工液向喷嘴内的供给条件、加工液的状态等影响的情况下，简单且高精度地进行线锯用加工液供给喷嘴的延伸方向的加工液的喷出量的调整。本发明的线锯用加工液供给喷嘴是具有内管和外管的双重管构造。向内管的内部供给的加工液经由内管的多个孔向外管的内部排出，进而经由外管的狭缝向线锯喷出。在外管，在与内管的多个孔相向的位置分别设置孔。螺栓安装于这些外管的多个孔，使螺栓相对于外管的孔的固定位置从外管的外部移动，由此能够将内管的各个孔的加工液的排出量个别地调整。此外，螺栓经由位于与外管的外表面接触的位置的螺母，相对于外管的孔固定。

技术领域

本发明涉及为了向从硅等铸锭切出多个晶片的线锯供给浆料、冷却剂等加工液而使用的线锯用加工液供给喷嘴及向线锯供给加工液的方法。

背景技术

作为半导体基板的晶片通过将由硅、化合物半导体等构成的铸锭切断来制造。近年来，铸锭的切断方法的主流为借助线锯同时切出多张晶片的方法。包括这些铸锭，将接受线锯的切断处理的对象物在本说明书中称作“工件”。

这里，利用图2说明线锯的大致情况。线锯40具有线组44、工件保持机构46、喷嘴200，前述线组44将线在多个辊42A、42B、42C间并列且能够往复行进地张紧，前述工件保持机构46保持工件W，前述喷嘴200向线组44供给加工液。工件的切断方法大致分为游离磨粒方式和固定磨粒方式。游离磨粒方式的情况下，将包括磨粒的浆料从喷嘴200向线组44连续供给，同时使线组44沿其延伸方向Z高速地往复行进。与此同时，借助工件保持机构46，相对于线组44使工件W沿推入的方向移动。借助此时的磨粒的切削作用，能够将工件W同时切出多数张晶片。固定磨粒方式的情况下，通过树脂或电镀使用固接有磨粒的线(固定磨粒线)进行切片加工，所以从喷嘴200向线组44供给的是不含磨粒的冷却剂。另外，在图2中，描绘了线组44在图中从左向右移动的状态。

这里，作为向线组44喷出加工液的喷嘴200，已知图3(A)~(C)所示那样的双重管构造的。图3所示的线锯用加工液供给喷嘴200包括内管10及外管20。内管10直线状地延伸，沿其延伸方向E1设置有相同直径的多个孔12。外管20在内管10的外侧延伸，沿其延伸方向E1在与内管的孔12相反的一侧的位置设置有恒定宽度的狭缝22。加工液L被向内管的内部14供给，经由内管的多个孔12向外管的内部24排出，进而经由狭缝22被喷出。如图2及图3所示，工件及喷嘴200在线组44位于上使得与其延伸方向Z正交的位置。因此，从喷嘴的狭缝22喷出的加工液L如图3(A)所示，被向线组44上供给后沿线组44的行进方向移动。

此时，有时来自狭缝22的加工液的喷出量沿喷嘴200的延伸方向E1不均。例如，图3所示的喷嘴200中，从一个端部200A向内管的内部14供给加工液，另一个端部200B被固封。该情况下可知，若作为加工液使用冷却剂，则来自内管的孔12的冷却剂的每单位时间的排出量为，与靠近端部200A的上游侧的孔相比，在靠近端部200B的下游侧的孔处变多。因此，如图3(A)所示，从狭缝22喷出的冷却剂L的线组44上的到达位置也是与喷嘴200的上游侧相比在下游侧变远。另一方面，若作为加工液使用浆料，则来自内管的孔12的浆料的每单位时间的排出量为，与下游侧相比在上游侧变多。

这样，若来自狭缝22的加工液的喷出量、到达位置沿喷嘴200的延伸方向E1不均，则导致被上游侧的线切断的晶片和被下游侧的线切断的晶片加工精度不同这样的加工精度的不均。因此，希望抑制这样的由加工液的不同导致的喷出量、到达位置的不均。另外，以下在本说明书中，在喷嘴的内管的内部的加工液的流动中，将端部200A侧表述为“上游”，将端部200B侧表述为“下游”。

专利文献1中，作为以游离磨粒方式喷出包括磨粒的浆料的喷嘴，记载有单管式的喷嘴、双重管构造的喷嘴。单管式的喷嘴中，记载有使喷出浆料的狭缝的宽度从上游向下游逐渐增加，使得浆料从狭缝均匀落下(参照引用文献1图3)。但是，在双重管构造的喷嘴中，记载着即使狭缝的宽度沿其延伸方向恒定，浆料也从狭缝均匀落下(参照引用文献1第[0012]段)。