[发明专利]动态偏压电流产生器以及相关的电子装置有效
申请号: | 201811140682.0 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110968142B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 王维铁;郝报田;李超 | 申请(专利权)人: | 雅特力科技(重庆)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 徐协成 |
地址: | 重庆市九龙坡区科*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 动态 偏压 电流 产生器 以及 相关 电子 装置 | ||
1.一种动态偏压电流产生器,其特征在于,包含有:
检测电路,耦接于电源电压与接地电压之间,用来对该电源电压进行检测运作以产生检测信号,其中该检测电路包含:
电流源,耦接至该电源电压;
第一组晶体管,耦接于该电流源与该接地电压之间,其中该电流源与该第一组晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第一路径上,且该第一组晶体管包含第一晶体管与第三晶体管;
第二组晶体管,耦接于该电源电压与该接地电压之间,其中该第二组晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第二路径上,且该第二组晶体管包含第二晶体管、第四晶体管与第五晶体管,且该第一组晶体管中的晶体管的控制端子以及该第二组晶体管中的晶体管的控制端子彼此耦接,其中该第一组晶体管中的该晶体管代表该第三晶体管,且该第二组晶体管中的该晶体管代表该第四晶体管;以及该第一晶体管与该第二晶体管中的每一晶体管的二个端子彼此耦接,使所述每一晶体管被配置成二极管连接的(diode-connected)晶体管;
第一电容器,具有第一端子与第二端子,其中该第一电容器的该第一端子耦接至该电源电压,且该第一电容器的该第二端子耦接至该第二组晶体管中的该晶体管的其它端子;以及
第二电容器,具有第一端子与第二端子,其中该第二电容器的该第一端子耦接至该第一组晶体管中的该晶体管的该控制端子以及该第二组晶体管中的该晶体管的该控制端子,且该第二电容器的该第二端子耦接至该接地电压;以及
至少一电流产生电路,耦接于该电源电压与该接地电压之间、且耦接至该检测电路,用来依据该检测信号产生对应的动态偏压电流,其中该至少一电流产生电路包含:
多个晶体管,耦接于该电源电压与该接地电压之间,用来依据该检测信号产生该动态偏压电流,其中该多个晶体管中的至少一晶体管的控制端子耦接至该第二组晶体管中的该晶体管的另一其它端子;以及
端子,用来输出对应于该动态偏压电流的电压信号,以供进行重设控制。
2.如权利要求1所述的动态偏压电流产生器,其特征在于,该第一晶体管通过该第三晶体管耦接至该电流源、且耦接于该第三晶体管与该接地电压之间,该第二晶体管通过该第四晶体管耦接至该第五晶体管、且耦接于该第四晶体管与该接地电压之间,该第五晶体管耦接于该电源电压与该第四晶体管之间,以及该第二组晶体管中的该晶体管的该另一其它端子是该第四晶体管的用来耦接该第五晶体管的端子。
3.如权利要求1所述的动态偏压电流产生器,其特征在于,该多个晶体管包含第六晶体管、第八晶体管与第九晶体管,以及该至少一电流产生电路还包含:
电阻器,其中该第六晶体管、该电阻器与该第八晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第三路径上,且该第八晶体管与该第九晶体管的各自的控制端子彼此耦接。
4.如权利要求3所述的动态偏压电流产生器,其特征在于,该第八晶体管的二个端子彼此耦接,使该第八晶体管被配置成二极管连接的(diode-connected)晶体管;以及该第九晶体管与该第八晶体管的各自的特定参数的比值等于n,使通过该第九晶体管的该动态偏压电流是通过该第八晶体管的电流的n倍,其中n大于1。
5.如权利要求3所述的动态偏压电流产生器,其特征在于,该检测信号代表该第六晶体管的控制端子上的电压信号。
6.如权利要求1所述的动态偏压电流产生器,其特征在于,该多个晶体管包含第五晶体管、第六晶体管、第八晶体管与第九晶体管,以及该至少一电流产生电路包含:
第一电流产生电路,其包含该第五晶体管与该第六晶体管,其中该检测电路与该第一电流产生电路共享该第五晶体管,该第五晶体管位于该第二路径,且该第五晶体管与该第六晶体管的各自的控制端子彼此耦接;以及
第二电流产生电路,其包含该第八晶体管与该第九晶体管,其中该第六晶体管与该第八晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第三路径上,且该第八晶体管与该第九晶体管的各自的控制端子彼此耦接。
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