[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201811139884.3 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110965022B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈广辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
提供基底；
通过电感耦合形成的等离子体轰击石墨烯靶材，在基底上溅射沉积形成类金刚石碳薄膜；
按物质的量百分比计，所述类金刚石碳薄膜包括80～88％的sp3杂化碳、小于1％的氢以及余量的sp2杂化碳。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：
衬底；
形成在所述衬底上的第一介质层；以及
形成在所述第一介质层上的第二介质层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括，在所述类金刚石碳薄膜上形成光刻胶。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体的原料气体为氩气，所述氩气的流量为100-200sccm。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电感耦合的射频频率为13.56MHz。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电感耦合的射频功率为200-500W。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括在所述溅射沉积中施加550-1500V的偏置电压，所形成的偏置电流为10-100mA。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底为抗氟停止层、低K阻挡层、或介电涂层。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述溅射沉积时的压力小于500mTorr。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述溅射沉积时的温度小于500℃。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述溅射沉积的时间为20-30秒。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述类金刚石碳薄膜的厚度为1-20nm。
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