[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201811139025.4 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110033710A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33;H01L33/36;H01L33/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合电极 发光二极管元件 透明导电层 电性连接 显示装置 中介层 基板 部位增加 包围 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板;
至少一个接合电极;
至少一个发光二极管元件,电性连接所述接合电极,其中所述接合电极在所述发光二极管元件和所述基板之间,且所述发光二极管元件包括:
p型半导体层,包括低阻值部位以及高阻值部位,其中所述低阻值部位由所述高阻值部位所包围,且所述p型半导体层的阻值由所述低阻值部位朝向所述高阻值部位增加;
n型半导体层,其中所述p型半导体层在所述n型半导体层和所述接合电极之间;以及
中介层,在所述p型半导体层和所述接合电极之间;以及
透明导电层,电性连接所述n型半导体层,其中所述发光二极管元件在所述透明导电层和所述接合电极之间。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述中介层包括欧姆接触层电性连接所述p型半导体层。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述中介层包括反射层。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述中介层包括接合层。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
隔离层,在所述接合电极和所述发光二极管元件的周围,其中所述n型半导体层的至少一个部位由所述隔离层暴露出,且电性耦接所述透明导电层。
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述隔离层的顶面低于所述n型半导体层的顶面。
7.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述隔离层的顶面高于所述n型半导体层的顶面。
8.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述隔离层的顶面的第一部位低于所述n型半导体层的顶面,且所述隔离层的所述顶面的第二部位高于所述n型半导体层的所述顶面。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
至少一个阴极母线,其中所述n型半导体层通过所述透明导电层电性连接所述阴极母线,且所述阴极母线具有至少一个部位在所述透明导电层和所述基板之间。
10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第一绝缘层,其中所述透明导电层在所述第一绝缘层和所述基板之间,所述发光二极管元件具有第一折射率,所述第一绝缘层具有第二折射率,且所述第一折射率大于所述第二折射率。
11.如权利要求10所述的显示装置,其特征在于,还包括:
封装层,其中所述第一绝缘层在所述封装层和所述基板之间。
12.如权利要求10所述的显示装置,其特征在于,还包括:
第二绝缘层,其中所述第一绝缘层的至少一个部位在所述第二绝缘层和所述基板之间,所述第二绝缘层具有第三折射率,且所述第二折射率大于所述第三折射率。
13.如权利要求12所述的显示装置,其特征在于,还包括:
封装层,其中所述第二绝缘层的至少一个部位在所述封装层和所述第一绝缘层之间。
14.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述发光二极管元件的数量至少为二;
还包括:
光学隔离结构,在两个所述发光二极管元件之间。
15.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述发光二极管元件的数量为多个;
还包括:
至少两个像素,其中每个所述像素包括所述发光二极管元件中的至少两个;以及
光学隔离结构,在所述两个像素之间。
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