[发明专利]等离子体处理装置在审
申请号: | 201811138919.1 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109587924A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 山泽阳平;齐藤武尚;宇田真代;豊田启吾;阿洛克·兰根;中岛俊希 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体喷射部 等离子体处理装置 高频电源 线圈设置 腔室 天线 等离子体 电容器 线圈感应耦合 处理气体 高频电力 两端开放 异常放电 谐振 接地 波长 供电 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:
腔室,其用于收容被处理基板;
电介质窗,其构成所述腔室的上部;
气体供给部,其从所述腔室的上部向所述腔室内供给处理气体;
天线,其设置在所述腔室的上方且所述气体供给部的周围,通过向所述腔室内供给高频来在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体;以及
电力供给部,其向所述天线供给高频电力,
其中,所述天线具有:
内侧线圈,其以包围所述气体供给部的方式设置在所述气体供给部的周围;以及
外侧线圈,其以包围所述气体供给部和所述内侧线圈的方式设置在所述气体供给部和所述内侧线圈的周围,
所述内侧线圈和所述外侧线圈中的任一方的线圈构成为:构成所述一方的线圈的线路的两端开放,从所述电力供给部向所述线路的中点或者该中点的附近供电,在所述中点的附近处接地,以从所述电力供给部供给的高频电力的1/2波长进行谐振,
在所述内侧线圈和所述外侧线圈中的另一方的线圈中,构成所述另一方的线圈的线路的两端经由电容器连接,所述另一方的线圈与所述一方的线圈感应耦合。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述一方的线圈形成为两周以上的大致圆形的螺旋状,
所述另一方的线圈形成为大致圆形的环状,
所述一方的线圈和所述另一方的线圈配置为,所述一方的线圈的外形与所述另一方的线圈的外形成为同心圆。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述气体供给部形成为大致圆筒状,
所述一方的线圈和所述另一方的线圈配置为,所述一方的线圈的外形的中心与所述另一方的线圈的外形的中心位于所述气体供给部的中心轴上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述一方的线圈和所述另一方的线圈配置于所述电介质窗的内部或者所述电介质窗的上方,
包含所述一方的线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离同包含所述另一方的线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离不同。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述一方的线圈为外侧线圈,
所述另一方的线圈为内侧线圈,
包含所述内侧线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离比包含所述外侧线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离短。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述电力供给部能够变更向所述天线供给的高频电力的频率。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
设置于所述另一方的线圈的所述电容器为可变电容器。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
在所述气体供给部的内部设置有供向所述腔室供给的所述处理气体流通的流路,
所述流路内的压力比所述腔室内的压力高。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述气体供给部具有:
突出部,其在所述气体供给部的下部从所述电介质窗的下表面向腔室内突出;
第一喷射口,其设置于所述突出部,用于向下方向喷射所述处理气体;以及
第二喷射口,其设置于所述突出部,用于向横方向或者向斜下方喷射所述处理气体。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,
在所述气体供给部以包围供所述处理气体通过的空间的方式设置有导电性的屏蔽构件。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述屏蔽构件的下端位于比所述电介质窗的下表面靠下方的位置。
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