[发明专利]半导体器件在审

申请号：	201811137571.4	申请日：	2018-09-28
公开（公告）号：	CN110970319A	公开（公告）日：	2020-04-07
发明（设计）人：	廖文河;林平杰	申请（专利权）人：	福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	362200 福建省泉州***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件
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【说明书】：

本发明公开一种半导体器件，其包括第一管线、第二管线、第一阀门、第二阀门以及第一真空腔室。第一管线与第二管线分别连接于第一阀门与第二阀门，而第一真空腔室则设置于第一阀门与第二阀门之间。第一真空腔室还设置有一压力传感器，由此，可利用所述压力传感器隔离并监控所述第一阀门与所述第二阀门的正常功能，进而避免渗漏发生。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，特别是涉及一种用于特气供应系统的半导体器件。

背景技术

半导体工艺目前已被广泛的应用于各项产业，如传统的液晶显示器或是近年来快速成长的微机电产业。而气体的使用在半导体工艺中一直扮演着重要的角色，举例来说，半导体工艺中如干式蚀刻、氧化、离子注入、薄膜沉积等都使用到相当多的气体，气体的纯度则对组件性能、产品良率有着决定性的影响，而气体供应的安全性则攸关人员的健康与工厂运作的安全。

在半导体行业，特气(specialty gases)经常作为工艺制造原料，然而特气供应系统也是半导体厂中危险性最高的一环，任何疏失都可能造成人员、厂房、设备的严重损失。特气包括甲硅烷(SiH₄)、砷化氢(AsH₃)、磷化氢(PH₃)等以钢瓶供应的气体，有些气体如甲硅烷具有自燃性，有些气体如砷化氢则具有剧毒性或高腐蚀性，一旦发生泄漏即可能造成严重危害。再来，因半导体工艺对特气纯度的高要求，在特气输送设备中，往往装置有阀门以防止内漏。由此，特气供应系统的再改良与防护设计仍为本领域现今的重要课题之一。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种改良的半导体器件，其是在特气输送管路与吹净气输送管路之间额外设置了两道阀门与一真空腔室，由此可搭配一压力传感器实时监控所述真空腔室的气压，以适时警示并更换阀门。

为了达到上述目的，本发明一方面提供了一种半导体器件，其包括第一管线、第二管线、第一阀门、第二阀门以及第一真空腔室。所述第一管线与所述第二管线分别连接于所述第一阀门与所述第二阀门，而所述第一真空腔室则设置于所述第一阀门与所述第二阀门之间。第一真空腔室还设置有一气压传感器。

附图说明

图1为本发明第一优选实施例所绘示的半导体器件的管路示意图；

图2为本发明第二优选实施例所绘示的半导体器件的管路示意图；

图3为本发明第三优选实施例所绘示的半导体器件的管路示意图；

图4为本发明的半导体器件于实际应用时的管路示意图。

附图标记：

100、200、300、400 半导体器件

110、410 特气输送管路

111、113、411、413 管线