[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法和扩散源

说明书

课题在于：提高R‑T‑B系烧结磁体的磁体特性。解决课题的方案在于：本发明的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括：准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序；准备通过熔态旋凝法制得的Pr‑Ga合金的工序；以比上述Pr‑Ga合金的熔点低270℃的温度以上且熔点以下的温度对上述Pr‑Ga合金进行热处理，由上述Pr‑Ga合金的粉末得到扩散源的工序；和将上述R‑T‑B系烧结磁体原材料和上述扩散源配置于处理容器内，在真空或不活泼气体气氛中以超过600℃且950℃以下的温度对上述R‑T‑B系烧结磁体原材料和上述扩散源进行加热，由此从上述扩散源使Pr和Ga扩散到上述R‑T‑B系烧结磁体原材料的内部的工序。

技术领域

本发明涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法和扩散源。

背景技术

R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种，必须包含Nd。T为Fe或Fe和Co，B为硼)作为永久磁体中性能最高的磁体被已知，用于硬盘驱动器的音圈马达(VCM)、电动汽车用(EV、HV、PHV等)发动机、工业设备用发动机等的各种发动机、家电制品等。

R-T-B系烧结磁体主要由包括R₂T₁₄B化合物的主相和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R₂T₁₄B化合物是具有高的饱和磁化和各向异性磁场的强磁性材料，成为R-T-B系烧结磁体的特性的基础。

在高温中，R-T-B系烧结磁体的矫顽力H_cJ(以下，有时简单称为“H_cJ”)降低，因此，发生不可逆热退磁。因此，特别是在电动汽车用发动机中使用的R-T-B系烧结磁体要求具有高的H_cJ。

在R-T-B系烧结磁体中，已知将R₂T₁₄B化合物中的R所含的轻稀土元素RL(例如，Nd、Pr)的一部分用重稀土元素RH(例如，Dy、Tb)置换时，H_cJ提高。随着RH的置换量的增加，H_cJ提高。

但是，将R₂T₁₄B化合物中的RL用RH置换时，R-T-B系烧结磁体的H_cJ提高，但是残留磁通密度B_r(以下，有时简单称为“B_r”)降低。另外，特别是出于Dy等RH的资源存在量少并且产地受到限制等的理由，存在无法稳定供给，价格大幅变动等的问题。因此，近年来，要求尽可能不使用RH而使H_cJ提高。

专利文献1中公开了抑制Dy的含量并且矫顽力高的R-T-B系稀土类烧结磁体。该烧结磁体的组成限定于与一般使用的R-T-B系合金相比B量相对较少的特定的范围，并且含有选自Al、Ga、Cu中的1种以上的金属元素M。其结果，在晶界生成R₂T₁₇相，从该R₂T₁₇相在晶界形成的过渡金属富相(R₆T₁₃M)的体积比率增加，由此H_cJ提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/008756号

发明内容

发明所要解决的课题

专利文献1中公开的R-T-B系稀土类烧结磁体中，降低Dy的含量并且得到了高的H_cJ，但是，存在B_r大幅降低这样的问题。另外，近年来，在电动汽车用发动机等的用途中，要求具有更高的H_cJ的R-T-B系烧结磁体。

本发明的各种实施方式提供降低RH的含量并且具有高的B_r和高的H_cJ的R-T-B系烧结磁体的制造方法。