[发明专利]印刷Al2O3制备高效PERC电池的制备方法在审
申请号: | 201811136735.1 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109560143A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 张松;梁小静;刘慎思;陶智华;郑飞 | 申请(专利权)人: | 上海神舟新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 许丽 |
地址: | 201112 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 发射结 制备 印刷 背面 氮化硅钝化 减反射层 丝网印刷 氢化非 钝化 去除 电池 磁控溅射法 电极金属化 金字塔绒面 选择性图形 漏电 表面抛光 单面制绒 高温退火 金属电极 正面印刷 前驱体 损伤层 银电极 正背面 重掺杂 烘干 铝浆 绕度 栅线 沉积 金字塔 | ||
本发明涉及印刷Al2O3制备高效PERC电池的方法,包括步骤:硅片去除损伤层,表面抛光、单面制绒,形成金字塔绒面;将带有金字塔绒面的硅片,在高温、含磷的环境中,形成N+发射结;将带有N+发射结硅片至于HNO3/HF溶液中,去除带有N+发射结硅片的背面和边缘绕度的重掺杂N+区域,降低其漏电;采用丝网印刷的方式,印刷Al2O3前驱体,经过烘干、高温退火形成高钝化质量的Al2O3层;将高钝化质量的Al2O3层的硅片的正面及背面,采用PECVD或磁控溅射法,沉积80nm‑100nm的氢化非晶氮化硅钝化减反射层;对所述氢化非晶氮化硅钝化减反射层进行选择性图形化开膜;通过丝网印刷的方式,在获得的开膜后的硅片的背面处印刷铝浆和银电极,正面印刷金属电极栅线,形成正背面电极金属化接触。
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的制备方法,尤其是涉及一种印刷Al2O3制备高效PERC电池的制备方法。
背景技术
随着太阳能光伏市场的发展,人们对高效的晶体硅电池的需求越来越急迫。目前单晶PERC电池目前从成本,还是电池效率方面,都有极具竞争性。但是前期投资成本较高,尤其是Al2O3关键镀膜设备,本专利正是在不降低电池背面钝化效果的前提下,降低前期设备投资成本。印刷Al2O3制备高效PERC电池的制备方法,是一种低成本的,可大幅降低前期设备投资的,制备高效PERC电池的技术,具有非常广阔的市场前景。
目前常规PERC电池背面面钝化采用的是PECVD或ALD方式沉积的Al2O3薄膜,但设备投资成本较高。
发明内容
本发明的目的就是进一步降低PERC电池前期投资成本,且兼容现有PERC 量产路径的基于印刷Al2O3制备高效PERC电池的制备方法,是高效单晶PERC 电池的重点开发方向。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:
印刷Al2O3制备高效PERC电池的方法,其特征在于,包括步骤:
步骤1:硅片在一碱制绒槽中去除损伤层,并进行表面抛光、单面制绒,形成1μm-6μm高的金字塔绒面;
步骤2:将步骤1中获得的带有金字塔绒面的硅片,在750-860摄氏度的高温、含磷的环境中,通过高温扩散,形成N+发射结;
步骤3:将步骤2中获得的带有N+发射结硅片至于装有HNO3/HF溶液的产线湿法刻蚀设备中,刻蚀去除带有N+发射结硅片的背面和边缘绕度的重掺杂 N+区域,降低其漏电;
步骤4:采用丝网印刷的方式,将步骤3获得的刻蚀去除带有N+发射结硅片的背面和边缘绕度的重掺杂N+区域的硅片的背面印刷Al2O3前驱体,经过烘干、高温退火形成高钝化质量的Al2O3层;
步骤5:在步骤4获得的高钝化质量的Al2O3层的硅片的正面及背面,采用 PECVD或磁控溅射法,沉积80nm-100nm的氢化非晶氮化硅钝化减反射层;
步骤6:采用ns或Ps激光对所述氢化非晶氮化硅钝化减反射层进行选择性图形化开膜,为形成局部接触做准备;
步骤7:通过丝网印刷的方式,在步骤6获得的开膜后的硅片的背面处印刷铝浆和银电极,正面印刷金属电极栅线,形成正背面电极金属化接触。
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