[发明专利]一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法

权利要求书

1.一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，采用硅材料形成衬底(1)；

步骤二，在衬底(1)上生长形成二氧化硅绝缘层(2)；

步骤三，在所述的二氧化硅绝缘层(2)上覆盖一层二维材料(3)；

步骤四，激光加热所述二维材料(3)两端，使得二维材料的两端氧化并转变为具有金属特性的氧化物(4)；

步骤五，在两端的氧化物(4)上分别生长形成源电极(5)和漏电极(6)；

步骤六，在衬底(1)下方生长形成背电极(7)。

2.根据权利要求1所述的一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，其特征在于，所述的二维材料(3)是MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、TiS₂或VSe₂中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，其特征在于，所述的二维材料(3)的厚度大于5nm。

4.根据权利要求1所述的一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，其特征在于，所述的步骤四中激光加热的功率大于1mW，加热时间大于10s。

5.根据权利要求1所述的一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，其特征在于，所述的源电极(5)、漏电极(6)和背电极(7)的材料为金、银或铜中的一种。

6.一种P型二维材料MOSFET，其特征在于，包括衬底(1)、二氧化硅绝缘层(2)、二维材料(3)、具有金属特性的氧化物(4)、源电极(5)、漏电极(6)和背电极(7)，所述的衬底(1)由硅材料制成，所述的二氧化硅绝缘层(2)生长形成于衬底(1)之上，二氧化硅绝缘层(2)上覆盖有一层二维材料(3)，所述二维材料(3)的两端由于激光加热而氧化生成具有金属特性的氧化物(4)，两端的氧化物(4)上分别生长形成有源电极(5)和漏电极(6)，所述的背电极(7)生长形成于衬底(1)下方。

7.根据权利要求6所述的一种P型二维材料MOSFET，其特征在于，所述的二维材料(3)是MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、TiS₂或VSe₂中的一种。

8.根据权利要求6或7所述的一种P型二维材料MOSFET，其特征在于，所述的二维材料(3)的厚度大于5nm。