[发明专利]电子封装件及其制法

说明书

一种电子封装件及其制法，通过于配置有电子元件的承载结构上形成保护层，再以包覆层包覆该电子元件与该保护层，接着于该包覆层形成穿孔，并使该穿孔延伸贯穿该保护层，以令该承载结构的部分表面外露于该穿孔，之后将导电结构形成于该穿孔中以电性连接该承载结构，俾经由该保护层的设计，以于形成该穿孔时，该保护层的缓冲效果可防止激光直接连续烧穿该包覆层与该保护层，避免损坏该承载结构。

技术领域

本发明有关一种半导体封装技术，尤指一种电子封装件及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。

目前贯穿胶体(Through molding via，简称TMV)的技术已广泛运用于半导体封装制程领域，其主要技术利用激光烧灼方式于封装胶体表面进行开孔制程，以显露出位于封装胶体下的电性接点(如线路或电性连接垫)。

如图1A所示，一具有多个线路层101的封装基板10设于一支撑件1上，且该封装基板10上设有一芯片11与一封装胶体12，并使该封装胶体12包覆该芯片11。接着，利用激光钻孔方式贯穿该封装胶体 12，以形成多个穿孔120，令部分该线路层101(即电性连接垫)外露于该穿孔120。之后，形成如铜的导电材于该穿孔120中，以作为外接点，俾制成半导体封装件。最后，移除该支撑件1，以于后续制程中，该半导体封装件经由该些外接点接置一如电路板或另一封装件的电子装置。

然而，悉知穿孔120的制作方式中，激光钻孔方式不易控制功率与时间(于靠近该线路层101时需降低功率或减缓速度)，致使该线路层101容易烧坏(如图1B所示的线路层101的凹状表面)，甚至烧穿该线路层101，造成后续所形成的导电材与该线路层101之间的电性连接不良，导致短路或断路的问题，甚而降低封装产品的可靠度。

因此，如何克服上述悉知技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述悉知技术的缺失，本发明提供一种电子封装件及其制法，可提升电子封装件的可靠度。

本发明的电子封装件，包括：承载结构，其具有外露的线路层；电子元件，其设于该承载结构上；保护层，其形成于该承载结构上以覆盖该线路层；包覆层，其形成于该承载结构上且包覆该电子元件与该保护层，其中，该包覆层形成有穿孔，并使该穿孔延伸贯穿该保护层，以令该承载结构的部分表面外露于该穿孔；以及导电结构，其形成于该穿孔中且电性连接该承载结构的线路层。

本发明又提供一种电子封装件的制法，其包括：设置电子元件于一具有线路层的承载结构上，且形成保护层于该承载结构上，并使该保护层覆盖该线路层；以包覆层包覆该电子元件与该保护层；形成穿孔于该包覆层上，并使该穿孔延伸贯穿该保护层，以令该承载结构的部分表面外露于该穿孔；以及形成导电结构于该穿孔中，使该导电结构电性连接该承载结构的线路层。

前述的电子封装件的制法中，该穿孔的制程包括：以第一激光形成第一开孔于该包覆层上，使该保护层外露于该第一开孔；以及以第二激光形成第二开孔于该保护层上，使该承载结构的第二侧的部分表面外露于该第二开孔，以令该第一开孔与该第二开孔作为该穿孔。例如，该第一激光的光强度大于该第二激光的光强度。

前述的电子封装件及其制法中，该承载结构为线路重布层结构。

前述的电子封装件及其制法中，该保护层覆盖该线路层的上表面及侧面。或者，该保护层覆盖该线路层的上表面。

前述的电子封装件及其制法中，该承载结构为封装基板。

前述的电子封装件及其制法中，该包覆层的材质不同于该保护层的材质。

前述的电子封装件及其制法中，该导电结构为焊锡材料或导电柱。

前述的电子封装件及其制法中，形成该保护层的材质为非金属材。例如，该非金属材为防焊层、底胶或两者组合。