[发明专利]一种图形SOI硅片的制备方法在审
| 申请号： | 201811135663.9 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109360805A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 高鹏飞 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 键合片 制备 顶层氧化层 厚膜 四甲基氢氧化铵 机械减薄 退火处理 顶层硅 键合力 氢氟酸 硅片 倒角 硅层 减薄 键合 清洗 腐蚀 生长 | ||
1.一种图形SOI硅片的制备方法，其特征在于，包括：
步骤(1)：选取厚膜SOI硅片和图形片；
步骤(2)：对所述图形片进行表面处理并氧化；
步骤(3)：将所述厚膜SOI硅片和所述氧化后的图形片进行键合和退火处理，得键合片；
步骤(4)：将所述键合片的边缘进行倒角；
步骤(5)：使用机械减薄将所述键合片的顶层硅减薄到预定厚度；
步骤(6)：使用四甲基氢氧化铵将所述键合片的顶层氧化层上的硅层腐蚀干净；
步骤(7)：使用氢氟酸去净所述顶层氧化层，然后使用SC1/SC2清洗，即得。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的表面处理为使用SC1/SC2进行湿法清洗。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的氧化为采用干氧湿氧混合氧化。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的键合的条件为常温键合，等离子激活时间为0s～60s。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的退火的条件为高温退火，退火温度为700℃～900℃，退火时间为1h～8h。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中的倒角为两步倒角；
其中，第一步倒角使用砂轮目数为600目～1000目，第二步倒角使用砂轮目数为1000目～2000目。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的机械减薄为两步机械减薄；
其中，第一步减薄砂轮目数为600目～1000目；第二步减薄砂轮目数为6000目～10000目。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的预定厚度为所述顶层硅的表面硅层剩余15μm～100μm。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中的四甲基氢氧化铵的浓度为5％～25％，腐蚀的工艺温度为60℃～90℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
