[发明专利]一种固晶方法及终端有效

专利信息
申请号: 201811133318.1 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109285933B 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 张跃春;梁国康;梁国城;李金龙;程飞 申请(专利权)人: 先进光电器材(深圳)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 张明
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 固晶 固晶位置 晶元 图像信息 坐标偏差 参考点 终端 元参
【权利要求书】:

1.一种固晶方法,其特征在于,包括:

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点;

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息;

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差;

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整;

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息,至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置;

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差;

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整;

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

2.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为:

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值;

根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。

3.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为:

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值;

根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。

4.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上之前还包括:在待固晶位置上涂覆粘接层。

5.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,至少两个的所述待固定晶元分别固定设置于膜材料上,所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上具体为:

同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动,并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料,使膜材料与待固定晶元分离,完成固晶。

6.一种固晶终端,包括处理器、存储器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,

所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤:

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点;

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息;

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差;

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整;

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息,至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置;

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差;

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整;

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

7.根据权利要求6所述的固晶终端,其特征在于,所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为:

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值;

根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。

8.根据权利要求6所述的固晶终端,其特征在于,所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为:

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值;

根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。

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