[发明专利]液晶书写薄膜及其切割方法和切割系统有效

专利信息
申请号: 201811133133.0 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109031748B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 朱元成;何应军 申请(专利权)人: 好易写(深圳)科技有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333
代理公司: 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) 44343 代理人: 王杰辉
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 液晶 书写 薄膜 及其 切割 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种液晶书写薄膜的切割方法,所述液晶书写薄膜包括依次紧密贴合的第一基材层、第一导电层、液晶层、第二导电层和第二基材层,其特征在于,包括:

根据设定在大尺寸液晶书写薄膜上沿第一切割线进行全切,把所述第一基材层、所述第一导电层、所述液晶层、所述第二导电层和所述第二基材层一起切断,得到一块或多块小尺寸液晶书写薄膜,沿所述第一切割线切割的切割断面为第一切割断面,所述小尺寸液晶书写薄膜上具有一个或多个所述第一切割断面;

根据设定在所述小尺寸液晶书写薄膜上沿第二切割线对所述第一基材层和所述第一导电层进行全切,沿所述第二切割线切割的切割断面为第二切割断面,所述第二切割线平行于所述第一切割线,所述第一切割断面平行于所述第二切割断面;

根据设定移除所述第一切割断面与所述第二切割断面之间的所述第一基材层和所述第一导电层。

2.根据权利要求1所述的液晶书写薄膜的切割方法,其特征在于,在所述根据设定在所述大尺寸液晶书写薄膜上沿第一切割线进行全切,把所述第一基材层、所述第一导电层、所述液晶层、所述第二导电层和所述第二基材层一起切断,得到一块或多块小尺寸液晶书写薄膜,沿所述第一切割线切割的切割断面为第一切割断面,所述小尺寸液晶书写薄膜上具有一个或多个所述第一切割断面的步骤之前,还包括:

确定所述大尺寸液晶书写薄膜是否处于设定切割位置上;

若是,则进入根据设定在所述大尺寸液晶书写薄膜上沿所述第一切割线进行全切的步骤。

3.一种液晶书写薄膜的切割方法,所述液晶书写薄膜包括依次紧密贴合的第一基材层、第一导电层、液晶层、第二导电层和第二基材层,其特征在于,包括:

根据设定在大尺寸液晶书写薄膜上沿第三切割线对所述第一基材层和所述第一导电层进行全切,得到第一加工半成品,所述第三切割线成对设置一一对应,每对所述第三切割线彼此平行且相邻;

根据设定移除所述第一加工半成品上每对所述第三切割线之间的所述第一基材层和所述第一导电层,得到第二加工半成品;

根据设定在所述第二加工半成品上沿第四切割线进行全切,所述第四切割线平行于所述第三切割线,所述第四切割线位于每对所述第三切割线之间的中线位置上,得到所述液晶书写薄膜。

4.根据权利要求3所述的液晶书写薄膜的切割方法,其特征在于,在所述根据设定在所述大尺寸液晶书写薄膜上沿第三切割线对所述第一基材层和所述第一导电层进行全切,得到第一加工半成品,所述第三切割线成对设置一一对应,每对所述第三切割线彼此平行且相邻的步骤之前,还包括:

确定所述大尺寸液晶书写薄膜是否处于设定切割位置上;

若是,则进入根据设定在所述大尺寸液晶书写薄膜上沿所述第三切割线对所述第一基材层和所述第一导电层进行全切的步骤。

5.一种液晶书写薄膜的切割系统,所述液晶书写薄膜包括依次紧密贴合的第一基材层、第一导电层、液晶层、第二导电层和第二基材层,其特征在于,包括:

第一切割模块,用于根据设定在大尺寸液晶书写薄膜上沿第一切割线进行全切,把所述第一基材层、所述第一导电层、所述液晶层、所述第二导电层和所述第二基材层一起切断,得到一块或多块小尺寸液晶书写薄膜,沿所述第一切割线切割的切割断面为第一切割断面,所述小尺寸液晶书写薄膜上具有一个或多个所述第一切割断面;

第二切割模块,用于根据设定在所述小尺寸液晶书写薄膜上沿第二切割线对所述第一基材层和所述第一导电层进行全切,沿所述第二切割线切割的切割断面为第二切割断面,所述第二切割线平行于所述第一切割线,所述第一切割断面平行于所述第二切割断面;

第一移除模块,根据设定移除所述第一切割断面与所述第二切割断面之间的所述第一基材层和所述第一导电层,得到所述液晶书写薄膜。

6.根据权利要求5所述的液晶书写薄膜的切割系统,其特征在于,还包括:

定位模块,用于确定所述大尺寸液晶书写薄膜是否处于设定切割位置上;

进入模块,用于若是,则进入所述第一切割模块。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于好易写(深圳)科技有限公司,未经好易写(深圳)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811133133.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top