[发明专利]一种硫化钼薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811132392.1 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109378267B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;王子奕;孙博;史铁林;谭先华;刘智勇;刘星月;叶海波 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
(1)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形；
(2)采用镀膜工艺在所述基底上沉积一层钼源薄膜，所述钼源薄膜覆盖所述光刻胶图形；
(3)去除所述基底上的光刻胶及覆盖所述光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜；
(4)将所述基底放入高温气氛炉内，并在所述图形化钼源薄膜的上方放置衬底，同时所述高温气氛炉逐渐升温，待所述高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向所述高温气氛炉内通入硫源气体；接着，所述高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间，并将制得的硫化钼薄膜自所述高温气氛炉内取出；
所述基底上形成的硫化钼薄膜为图形化硫化钼薄膜，所述图形化硫化钼薄膜的形状与所述光刻胶图形的形状相一致；所述衬底上形成的硫化钼薄膜为连续硫化钼薄膜。
2.如权利要求1所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)后还包括采用稀释氨水清洗所述硫化钼薄膜的步骤。
3.如权利要求1所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述预定温度为780℃～850℃；所述预定时间为3min～20min。
4.如权利要求1所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：在钼源温度达到720℃～750℃时开始通入硫源气体；钼源薄膜的厚度为2nm～50nm。
5.如权利要求1所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底与所述基底之间的间隔为0.1mm～2mm。
6.如权利要求1所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述高温气氛炉的升温速率为1℃/min～30℃/min。
7.如权利要求1-6任一项所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：硫源包括H2S、(C2H5)2S及S粉中的任一种或者几种。
8.如权利要求1-6任一项所述的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：钼源为MoO3或MoCl5；所述基底为硅片或者石英片。
9.一种硫化钼薄膜，其特征在于：所述硫化钼薄膜是采用权利要求1-8任一项所述的硫化钼薄膜的制备方法制备成的。
10.如权利要求9所述的硫化钼薄膜，其特征在于：所述硫化钼薄膜的厚度为0.7nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
