[发明专利]微粗糙电解铜箔及铜箔基板

权利要求书

1.一种微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多个凸锋、多个V型凹槽以及多个微结晶簇，两个相邻的所述凸锋界定出一个V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小于1微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，所述微结晶簇的平均高度小于1.5微米；

其中，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

2.根据权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆迭构成，所述微结晶的平均直径小于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于1.3微米。

3.根据权利要求2所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，每一个所述微结晶簇沿其自身高度方向的所述微结晶平均堆迭数量是15个以下；所述微结晶簇的平均最大宽度小于5微米；部分的所述微结晶簇形成有分岔结构。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。

5.一种铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板包括：

一基材；以及

一微粗糙电解铜箔，其包括一贴附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多个凸锋、多个V型凹槽以及多个微结晶簇，两个相邻的所述凸锋界定出一个V型凹槽，所述V型凹槽的平均深度小于1微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，所述微结晶簇的平均高度小于1.5微米；

其中，所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-0.635db/in；

其中，所述微粗糙电解铜箔与所述基材间的剥离强度大于3lb/in。

6.根据权利要求5所述的铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板于30GHz的介入损失介于0至-0.935db/in。

7.根据权利要求6所述的铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于0至-0.31db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.43db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙电解铜箔与所述基材之间的剥离强度大于3.5lb/in。

8.根据权利要求7所述的铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.42db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-0.52db/in，所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-0.63db/in，所述铜箔基板于30GHz的介入损失介于0至-0.92db/in；所述微粗糙电解铜箔与所述基材之间的剥离强度大于3.9lb/in。

9.根据权利要求5所述的铜箔基板，其特征在于，所述微结晶簇的平均最大宽度小于5微米；部分的所述微结晶簇形成有分岔结构；每一个所述微结晶簇的平均高度小于1微米；每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆迭构成，所述微结晶的平均直径小于0.5微米；所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

10.根据权利要求5所述的铜箔基板，其特征在于，所述基材在1GHz频率下的Dk值小于3.8，以及在1GHz频率下的Df值小于0.002。