[发明专利]基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器

权利要求书

1.基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器，包括镀膜单模光纤、硒化钨-单模光纤和石英毛细管，其特征在于：

所述镀膜单模光纤有两根，为一端镀介质薄膜，在1550纳米波段大于95％反射率的单模光纤；

所述硒化钨-单模光纤，为一端镀有金膜的单模光纤，以≥10微米的沟道宽度贯通去除单模光纤纤芯部分的金膜，使得金膜分为两段，然后插入到硒化钨薄膜上，最终使硒化钨薄膜贴附到单模光纤端面后，与两段金膜形成硒化钨-金电导结构；

以硒化钨-单模光纤居中，镀膜单模光纤位于两端，镀膜端面向中的方式，插入石英毛细管中，石英毛细管既作为法珀腔准直、封装结构，又作为气体微流通道；其中硒化钨-单模光纤的镀膜端与对应的介质薄膜-单模光纤镀膜端不接触，构成一个1～3毫米的空气隙，该空气隙部分的石英毛细管设有空气孔，空气隙结构作为气体分子的微流通道，两镀膜单模光纤构成法珀微腔；硒化钨-单模光纤和两根介质薄膜-单模光纤间的光路准直。

2.如权利要求1所述基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器，其特征在于：所述空气孔为两个，相对称的设置于空气隙部分的石英毛细管上。

3.如权利要求1所述基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器，其特征在于：所述介质薄膜为二氧化硅、二氧化锆薄膜依次叠加沉积而成。