[发明专利]一种高强度聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201811129231.7 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109504004A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 李峰 | 申请(专利权)人: | 浙江凯阳新材料股份有限公司 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08L23/12;C08K3/22;C08J5/18 |
代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 张云波 |
地址: | 314211 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚丙烯 聚偏氟乙烯薄膜 聚偏氟乙烯 聚乙烯薄膜 二氧化钛 有机溶剂 制备 防静电剂 配方组成 抗菌剂 抗氧剂 拉伸力 稳定剂 重量份 吹塑 共混 造粒 生产成本 挤出 | ||
本发明涉及一种高强度聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法,其配方组成包括如下重量份的组分:低密度聚偏氟乙烯70‑90份;二氧化钛1‑10份,有机溶剂3‑5份,聚丙烯助剂1‑3份,抗氧剂0.1‑0.5份,稳定剂1‑3份,抗菌剂1‑5份,防静电剂0.1‑0.2份,其他助剂0.1~0.3份;与现有技术相比,通过以低密度聚偏氟乙烯为基料,通过加入二氧化钛、有机溶剂和聚丙烯助剂共混挤出、造粒、吹塑而成,使得该聚乙烯薄膜具有较好的拉伸力,其厚度仅为普通聚乙烯薄膜的一半,降低了生产成本。
技术领域
本发明涉及一种高强度聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法。
背景技术
聚偏氟乙烯(PVDF)由于氟含量和结晶度高,具有优异的耐化学性和户外耐候性,较高的机械强度和很好的热稳定性,优良的耐玷污性和灭菌能力,有效阻隔紫外线完全抵御日光降解,高介电强度和体积电阻率等特殊性能,在各个领域得到了广泛应用。作为薄膜材料,更是当今用量急速增长的太阳能光伏背板的新一代基础材料。
目前,全球仅美国、法国和日本等少数几家公司能生产PVDF薄膜,都采用熔融法生产工艺,虽然PVDF的熔点与分解温度相差有140℃左右,加工温度范围较宽,但是,受热塑性塑料熔融法加工条件的要求,通常需要聚合物具有高的流动系数,所以,就不宜使用超高分子量品级的PVDF,从而降低了PVDF薄膜的机械强度。
通常,PVDF在满足熔融法成型加工条件下,为提高其力学性能,可以采取添加某些填充的方式,或者引入其他聚合物进行改性的方式来实现,这样势必会降低薄膜材料 的总体氟含量,从而对PVDF固有的优良特性产生一定的不良影响。
另一方面,如果选用高分子量品级的PVDF进行熔融法制膜,因受物料熔融强度的提高和流动系数降低的影响,成型加工温度和压力相应也要提高,就容易造成PVDF产生热降价,而且它的分解产物HF为强酸,具有自催化降价作用和腐蚀性,会影响到PVDF 的机械强度和综合性能。
针对上述技术问题,故需要进行改进。
发明内容
本发明是为了克服上述现有技术中的缺陷,提供一种机械性能优良、气密性好,而且保有聚偏氟乙烯薄膜优越特性的高强度聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法。
为了达到以上目的,本发明所采用的技术方案是:一种高强度聚偏氟乙烯薄膜,其配方组成包括如下重量份的组分:低密度聚偏氟乙烯70-90份;二氧化钛1-10份,有机溶剂3-5份,聚丙烯助剂1-3份,抗氧剂0.1-0.5份,稳定剂1-3份,抗菌剂1-5份,防静电剂0.1-0.2份,其他助剂0.1~0.3份。
作为本发明的一种优选方案,一种高强度聚偏氟乙烯薄膜,其配方组成包括如下重量份的组分:低密度聚偏氟乙烯90份;二氧化钛5份,有机溶剂3份,聚丙烯助剂1份,抗氧剂0.5份,稳定剂3份,抗菌剂5份,防静电剂0.1份,其他助剂0.3份。
作为本发明的一种优选方案,一种高强度聚偏氟乙烯薄膜,其配方组成包括如下重量份的组分:低密度聚偏氟乙烯80份;二氧化钛8份,有机溶剂2份,聚丙烯助剂2份,抗氧剂0.4份,稳定剂2份,抗菌剂4份,防静电剂0.2份,其他助剂0.2份。
作为本发明的一种优选方案,所述的有机溶剂为丙酮、苯二甲酸二甲酯、碳酸二丙烯酯、四氢呋喃、甲乙酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、磷酸三甲酯和双丙酮醇中的任意一种或两种以上任意比例的混合物。
作为本发明的一种优选方案,所述的抗氧剂为主抗氧剂和辅抗氧剂,其中主抗氧剂选自受阻酚或硫酯类抗氧剂;辅抗氧剂选用亚磷酸盐或酯类抗氧剂。
作为本发明的一种优选方案,所述抗氧剂为受阻胺类抗氧剂与亚磷酸脂类抗氧剂按照1:2比例混合而成。
作为本发明的一种优选方案,所述主抗氧剂为3114、1010和DSTP中的一种或几种;辅抗氧剂为618和168中的一种或二种。
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