[发明专利]泵电路、动态随机存取存储器及整体泵电流的控制方法有效

专利信息
申请号: 201811126255.7 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN110619900B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 陈至仁;许庭硕 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C11/4074
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电路 动态 随机存取存储器 整体 电流 控制 方法
【说明书】:

本公开提供一种泵电路、动态随机存取存储器及整体泵电流的控制方法。该泵电路包括多个第一使能模块。该多个第一使能模块各经配置以产生一第一使能信号并包括一第一电压输入、一第一比较单元、一第一数字逻辑门和一第二数字逻辑门。该第一比较单元耦合至该第一电压输入并经配置以比较该第一电压输入的一电压和一第一参考电压。该第一数字逻辑门耦合至该第一比较单元并经配置以实施一逻辑运算。该第二数字逻辑门耦合至该第一数字逻辑门并经配置以实施一逻辑否定。当该第一电压输入的该电压小于该第一参考电压,该多个第一使能模块各产生该第一使能信号。

技术领域

本公开主张2018/06/19申请的美国正式申请案第16/012,552号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开关于一种电路、一种动态随机存取存储器(DRAM)、以及一种电流的控制方法。特别涉及一种泵电路、一种动态随机存取存储器、以及一种整体泵电流的控制方法。

背景技术

当传统的动态随机存取存储器(dynamic random access memory(DRAM))在做信赖性测试时,过高的电源电压(power supply voltage(VDD))可能会引起金属电子迁移,而导致传统的DRAM发生电子过应力损坏(electrical overstress(EOS))。

传统的DRAM包括多条字元线和一泵电路。多条字元线通过一泵电路来启动。该泵电路包括一泵模块,经配置以当一字元线电压小于一参考电压时,产生一泵电流给多条字元线。由于无法调节泵电流的幅度,所以当电源电压过高时,可能会发生EOS损坏。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术,并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的,不构成本公开的现有技术,且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种泵电路。该泵电路包括多个泵模块和多个第一使能模块。该多个泵模块经配置以产生一泵电流。该多个第一使能模块分别耦合至一部分的该多个泵模块。该多个第一使能模块经配置以产生一第一使能信号。在本公开的一些实施例中,该多个第一使能模块各包括一第一电压输入、一第一比较单元、一第一数字逻辑门和一第二数字逻辑门。该第一比较单元耦合至该第一电压输入并经配置以比较该第一电压输入的一电压和一第一参考电压。该第一数字逻辑门耦合至该第一比较单元并经配置以实施一逻辑运算。该第二数字逻辑门耦合至该第一数字逻辑门并经配置以实施一逻辑否定。在本公开的一些实施例中,当该第一电压输入的该电压小于该第一参考电压时,该多个第一使能模块各产生该第一使能信号。

在本公开的一些实施例中,该泵电路还包括一第一分压模块,耦合至该多个第一使能模块并经配置以转换一电源电压至该第一电压输入的该电压给各该多个第一使能模块。

在本公开的一些实施例中,该第一分压模块包括多个第一分压电阻。在本公开的一些实施例中,该多个第一使能模块的该第一电压输入各耦合至一节点,该节点位于一相应对的该多个第一分压电阻之间。

在本公开的一些实施例中,该泵电路还包括多个第二使能模块,分别耦合至一剩余部分的该多个泵模块。在本公开的一些实施例中,多个第二使能模块各经配置以产生一第二使能信号,并包括一第二电压输入和一第二比较单元。在本公开的一些实施例中,该第二比较单元耦合至该第二电压输入并经配置以比较该第二电压输入的一电压和一第二参考电压。在本公开的一些实施例中,当该第二电压输入的该电压小于该第二参考电压时,该多个第二使能模块产生该第二使能信号。

在本公开的一些实施例中,该泵电路还包括一第二分压模块,耦合至该多个第二使能模块并经配置以将一字元线电压转换至该第二电压输入的该电压给各该多个第二使能模块。

在本公开的一些实施例中,该第二分压模块包括多个第二分压电阻。在本公开的一些实施例中,该多个第二使能模块的该第二电压输入各耦合至一节点,该节点位于一相应对的该多个第二分压电阻之间。

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