[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板、纳米微粒的制备方法有效
| 申请号: | 201811125887.1 | 申请日: | 2018-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN109360839B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
| 发明(设计)人: | 代青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 纳米 微粒 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
像素界定层,形成在所述衬底基板上;
其中,所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层,所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度;
所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧,所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上;
所述双亲性纳米微粒阵列层中的各双亲性纳米微粒的一部分表面为亲液表面,另一部分表面为疏液表面;
所述亲液表面位于靠近所述衬底基板的一侧,所述疏液表面位于远离所述衬底基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述双亲性纳米微粒的一半表面为所述亲液表面,另一半表面为所述疏液表面。
3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,
所述亲液表面为具有磁性的膜层。
4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述磁性的膜层为含有磁性阴离子的聚合物膜层。
5.一种双亲性纳米微粒的制备方法,其特征在于,包括:
将纳米微粒溶液形成在一衬底上,并使所述溶液中的溶剂挥发以在所述衬底上形成纳米微粒阵列,所述纳米微粒的表面具有疏液性表面活性剂;
在所述纳米微粒阵列上滴加含有磁性阴离子的液态聚合物,使所述含有磁性阴离子的液态聚合物吸附在所述纳米微粒阵列中的各纳米微粒的部分表面;
对所述纳米微粒阵列进行光照处理使各所述纳米微粒的部分表面形成含有磁性阴离子的聚合物膜层,所述含有磁性阴离子的聚合物膜层具有亲液性;
将所述纳米微粒阵列从所述衬底上分离,得到双亲性纳米微粒。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在对所述纳米微粒阵列进行光照处理使各所述纳米微粒的部分表面形成含有磁性阳离子的聚合物膜层,之后还包括:
采用界面自组装法对所述纳米微粒阵列进行处理,增强所述纳米微粒阵列中的各所述纳米微粒的未形成含有磁性阴离子的聚合物膜层的另一部表面的表面活性剂的疏液性。
7.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成像素界定层;
其中,所述像素界定层包括双亲性纳米微粒阵列层和疏液层,所述双亲性纳米微粒阵列层的厚度小于所述疏液层的厚度;
所述双亲性纳米微粒阵列层位于靠近所述衬底基板的一侧,所述疏液层位于所述双亲性纳米微粒阵列层上;
所述双亲性纳米微粒阵列层中的各双亲性纳米微粒的一部分表面为亲液表面,另一部分表面为疏液表面;
所述亲液表面位于靠近所述衬底基板的一侧,所述疏液表面位于远离所述衬底基板的一侧。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成像素界定层,包括:
将权利要求5或6制备出的多个双亲性纳米微粒掺杂在疏液材料胶液中;
将所述疏液材料胶液形成在所述衬底基板上;
对所述疏液材料胶液进行干燥处理,并在所述衬底基板未形成所述疏液材料胶液的一侧施加磁场,使所述双亲性纳米微粒向朝向所述衬底基板的一侧迁移在靠近所述衬底基板的一侧形成双亲性纳米微粒阵列层,并在所述双亲性纳米微粒阵列层上形成疏液层,且所述双亲性纳米微粒阵列层中的各双亲性纳米微粒的含有磁性阴离子的聚合物膜层的表面位于靠近所述衬底基板的一侧;
对所述双亲性纳米微粒阵列层和所述疏液层进行图案化,去除部分区域的所述双亲性纳米微粒阵列层和所述疏液层,保留的所述双亲性纳米微粒阵列层和所述疏液层形成像素界定层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





