[发明专利]一种n型太阳能电池制备方法在审
申请号: | 201811125494.0 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN109004067A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 左严严;包健;徐冠群;廖辉;李明;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择性发射极 标记图案 对位 栅线 印刷网板 表面设置 制备 制作 | ||
1.一种n型太阳能电池制备方法,其特征在于,所述方法包括:
在n型衬底层两个相对的表面分别设置n型掺杂层和p型掺杂层;
在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极;
在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案;
将预设在印刷网板的第二标记图案与所述第一标记图案对位,以将所述印刷网板与所述选择性发射极对位;
通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线;并在所述p型掺杂层表面设置第二栅线,以制成所述n型太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括:
通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通过激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案包括:
通过所述激光机在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面刻蚀所述第一标记图案;其中,所述激光机的输出功率的取值范围为90W至105W之间,包括端点值。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极包括:
在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层;
通过刻蚀液刻蚀所述n型掺杂层表面的非预设栅线区域,以提高所述非预设栅线区域的方阻,制成所述选择性发射极;
在制成所述选择性发射极之后,去除所述保护层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括:
在所述n型掺杂层表面的预设栅线区域涂布石蜡层;
所述去除所述保护层包括:
去除所述石蜡层。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述在所述n型掺杂层表面设置选择性发射极之后,所述方法还包括:
在所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层;
所述在所述p型掺杂层表面设置第二栅线包括:
在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线;其中,所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在所述在所述p型掺杂层背向所述n型衬底层一侧表面沉积氧化铝层之后,所述方法还包括:
在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面沉积第一氮化硅层,并在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面沉积第二氮化硅层;
所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括:
在所述第一氮化硅层表面设置所述第一标记图案;
所述通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述选择性发射极表面设置与所述选择性发射极对位的第一栅线包括:
通过与所述选择性发射极对位的所述印刷网板在所述第一氮化硅层表面设置与所述选择性发射极对位的所述第一栅线;其中,所述第一栅线与所述选择性发射极电连接;
所述在所述氧化铝层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线包括:
在所述第二氮化硅层背向所述n型衬底层一侧表面设置所述第二栅线;其中,所述第二栅线与所述p型掺杂层电连接。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一标记图案为以下任意一项或任意组合:十字形图案、圆形图案、三角形图案。
9.根据权利要求1至8任一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面设置第一标记图案包括:
在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案包括:
在设置有所述选择性发射极的所述n型掺杂层表面的印刷空白区设置所述第一标记图案;其中,所述印刷空白区位于所述n型太阳能电池四个顶角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的