[发明专利]发光二极管以及包括其的发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一电极和面对所述第一电极的第二电极；

设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层(EML)；以及

与所述发光材料层(EML)相邻的电子传输层(ETL)，所述电子传输层(ETL)包括：

多个第一无机颗粒，所述第一无机颗粒具有第一平均颗粒尺寸；以及

多个第二无机颗粒，所述第二无机颗粒具有大于所述第一平均颗粒尺寸的第二平均颗粒尺寸，

其中所述多个第一无机颗粒具有第一能带隙，以及所述多个第二无机颗粒具有小于所述第一能带隙的第二能带隙，

其中所述第二无机颗粒的最低未占分子轨道(LUMO)能级低于所述第一无机颗粒的最低未占分子轨道(LUMO)能级，以及

其中所述第一无机颗粒的最高占据分子轨道(HOMO)能级与所述第二无机颗粒的最高占据分子轨道(HOMO)能级基本上相同；以及

其中所述第一平均颗粒尺寸在3.0nm至5.5nm的范围内，以及所述第二平均颗粒尺寸在6.0nm至7.0nm的范围内。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒和所述多个第二无机颗粒是金属和/或非金属氧化物颗粒。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒和所述多个第二无机颗粒各自包括二氧化钛(TiO₂)、氧化锌(ZnO)、锌镁氧化物(ZnMgO₂)、锆氧化物(ZrO₂)、锡氧化物(SnO₂)、钨氧化物(WO₃)、钽氧化物(Ta₂O₃)、铪氧化物(HfO₃)、铝氧化物(Al₂O₃)、锆硅氧化物(ZrSiO₄)、钡钛氧化物(BaTiO₃)和钡锆氧化物(BaZrO₃)中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一平均颗粒尺寸在所述第二平均颗粒尺寸的50％至85％的范围内。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒相对于所述多个第二无机颗粒的重量比在1∶4至4∶1的范围内。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述发光材料层(EML)设置在所述第一电极上，所述电子传输层(ETL)设置在所述发光材料层(EML)上，并且所述第二电极设置在所述电子传输层(ETL)上。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述电子传输层(ETL)设置在所述第一电极上，所述发光材料层(EML)设置在所述电子传输层(ETL)上，并且所述第二电极设置在所述发光材料层(EML)上。

8.一种发光装置，包括：

基板；和

在所述基板上的根据权利要求1所述的发光二极管。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述发光装置包括发光显示装置。