[发明专利]一种延长制程等待时间的后制程方法有效
申请号: | 201811119935.6 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN110943014B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人: | 李冬梅 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 延长 等待时间 后制程 方法 | ||
1.一种延长制程等待时间的后制程方法,其特征在于,包括:
提供晶圆传送盒,多个晶圆放置入所述晶圆传送盒中,所述晶圆传送盒设置有出气孔和进气孔;所述晶圆传送盒由单片式晶圆处理设备传输连接至清洁设备中,所述清洁设备内设置有抽气泵和氮气填充装置,当所述晶圆传送盒由传输状态至连接定位状态,所述抽气泵与所述出气孔连接,用于对所述晶圆传送盒内部进行抽气,并且所述氮气填充装置与所述进气孔连接,用于向所述盒的内部填充氮气;
打开连通所述晶圆传送盒的所述抽气泵对所述晶圆传送盒的内部进行抽气,以第一次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度;
其中,抽气过程中达到第一时长后关闭所述抽气泵,所述第一时长的范围为2至5分钟;
紧接在所述抽气步骤后,打开连通所述晶圆传送盒的氮气填充装置向所述晶圆传送盒的内部填充氮气,以第二次降低所述晶圆传送盒内气体污染物的浓度,并恢复所述晶圆传送盒的内部压强,至少到达提供所述晶圆传送盒的阶段的内部压强,所述提供所述晶圆传送盒的阶段的内部压强为常压;
其中,填充氮气过程中达到第二时长后关闭所述氮气填充装置,所述第二时长的范围为7至30分钟。
2.根据权利要求1所述的延长制程等待时间的后制程方法,其特征在于,所述出气孔和所述进气孔设置于所述晶圆传送盒的底部。
3.根据权利要求1所述的延长制程等待时间的后制程方法,其特征在于,所述晶圆传送盒中经单片式制程处理的所述晶圆具有的延长制程等待时间在大于等于20分钟,所述气体污染物的浓度小于5ppbv。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造