[发明专利]TFT基板及具备TFT基板的扫描天线有效

专利信息
申请号: 201811119919.7 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109687144B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 美崎克纪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01Q3/26 分类号: H01Q3/26;H01Q3/36;H01Q21/00
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚;习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: tft 具备 扫描 天线
【权利要求书】:

1.一种TFT基板,其特征在于,具有:

电介质基板;以及

多个天线单元区域,其排列在所述电介质基板上,各自具有TFT、和与所述TFT的漏极电极电连接的贴片电极,

缝隙基板隔着设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间的液晶层以与所述TFT基板相对的方式配置时,在此,所述缝隙基板具有又一电介质基板和缝隙电极,所述缝隙电极形成于所述又一电介质基板的所述液晶层侧的表面,所述缝隙电极具有多个缝隙,

多个天线单元构成为分别包括所述多个天线单元区域中的任一个所述贴片电极、包含所述多个缝隙中的任一个的所述缝隙电极的部分以及它们之间的所述液晶层,

所述TFT基板进一步包括平坦化层,其在所述电介质基板上,在比包含所述贴片电极的层靠上侧,由树脂形成,

所述平坦化层以在从所述电介质基板的法线方向观察时,不与所述贴片电极的至少一部分重叠的方式形成。

2.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,

所述平坦化层的上表面与所述贴片电极的上表面为相同高度、或者所述平坦化层的上表面低于所述贴片电极的上表面。

3.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时,不与所述贴片电极重叠的方式形成。

4.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,

所述贴片电极的厚度为2000nm以下。

5.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,

所述平坦化层的上表面高于所述贴片电极的上表面。

6.根据权利要求5所述的TFT基板,其特征在于,

从所述电介质基板的法线方向观察时,所述平坦化层在所述多个天线单元区域的每一个中,具有与所述贴片电极的至少一部分重叠的开口部。

7.根据权利要求6所述的TFT基板,其特征在于,

所述开口部的侧面的锥角为70°以下。

8.根据权利要求6所述的TFT基板,其特征在于,

所述开口部的平面形状为圆形或者椭圆形。

9.根据权利要求1、2、5~8中的任一项所述的TFT基板,其特征在于,

所述平坦化层的上表面的高度与所述贴片电极的上表面的高度之差为500nm以下。

10.一种扫描天线,其特征在于,具备:

TFT基板,其记载于权利要求1~9中的任一项;

缝隙基板,其以与所述TFT基板相对的方式配置;

液晶层,其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间;以及

反射导电板,其以与所述缝隙基板的与所述液晶层相反一侧的表面经由电介质层相对的方式配置,

所述TFT基板具有第一取向膜,所述第一取向膜与所述平坦化层及所述液晶层接触,

所述缝隙基板具有:

又一电介质基板;

缝隙电极,其形成于所述又一电介质基板的所述液晶层侧的表面;以及

第二取向膜,其覆盖所述缝隙电极,并与所述液晶层接触,

所述缝隙电极具有多个缝隙,所述多个缝隙分别与所述TFT基板的所述多个天线单元区域的每一个中的所述贴片电极对应配置。

11.根据权利要求10所述的扫描天线,其特征在于,

所述平坦化层的上表面的高度与所述贴片电极的上表面的高度之差为所述贴片电极与所述缝隙电极之间的所述液晶层的厚度的23%以下。

12.根据权利要求10或11所述的扫描天线,其特征在于,

所述平坦化层以从所述电介质基板的法线方向观察时,与所述贴片电极及所述多个缝隙均不重叠的方式形成。

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