[发明专利]一种金纳米颗粒和氧化石墨烯复合结构修饰的有机发光二极管及其制备方法在审
| 申请号: | 201811119439.0 | 申请日: | 2018-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN110943175A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
| 发明(设计)人: | 梅菲;冯佳欢;石五行;周远明 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 吴楚 |
| 地址: | 430068 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 颗粒 氧化 石墨 复合 结构 修饰 有机 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种金纳米颗粒和氧化石墨烯修饰的有机发光二级管,其特征在于,包括自下而上的ITO阳极、空穴传输层、阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属阴极,所述空穴传输层由金纳米颗粒和氧化石墨烯复合结构进行修饰。
2.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述金纳米颗粒的直径为20-30nm。
3.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述金纳米颗粒和氧化石墨烯以分隔的层状结构修饰所述空穴传输层或者以均匀复合状态修饰所述空穴传输层。
4.根据权利要求2或3所述的有机发光二级管,其特征在于,所述空穴传输层材料还包括NPB、PEDOT:PSS、TCTA、TAPC、P3HT-Th/MoO3、spiro-OMeTAD中的任一种,所述空穴传输层的厚度为40~50nm。
5.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述阻挡层材料包括NPB、TCTA、PEDOT:PSS、TAPC、P3HT-Th/MoO3、spiro-OMeTAD,所述阻挡层的厚度为5~10nm。
6.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述发光层材料为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3),厚度为30~40nm。
7.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述电子传输层材料包括PC60BM、Bphen、BCP、Alq3,厚度为30~50nm;所述电子注入层材料包括氟化锂,厚度为0.5-1nm。
8.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述电子传输层材料包括WS2。
9.根据权利要求1所述的有机发光二级管,其特征在于,所述氧化石墨烯可被黑鳞或MoS2替代。
10.根据权利要求1~9任一项所述的有机发光二级管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在ITO阳极上沉积空穴传输层;
(2)在步骤(1)所述的空穴传输层上沉积金纳米颗粒和氧化石墨烯复合材料;
(3)在步骤(2)所述的金纳米颗粒和氧化石墨烯复合材料沉积阻挡层;
(4)在步骤(3)所述的阻挡层表面沉积发光层;
(5)在步骤(4)所述的发光层表面依次沉积电子传输层、电子注入层、表金属阴极,得到金纳米颗粒和氧化石墨烯复合结构修饰的有机发光二极管。
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