[发明专利]一种OLED显示基板、显示装置和制作方法在审
申请号: | 201811116903.0 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109273500A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 像素界定层 有机功能层 方阻 平坦化层 显示面板 衬底 基板 像素 空穴 阴极 成膜过程 邻近像素 显示效果 显示装置 阻值差异 界定 攀爬 制备 墨水 发光 制作 | ||
1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括
衬底;
设置在所述衬底上的TFT结构;
设置在所述TFT结构上的平坦化层;
设置在所述平坦化层上的像素界定层和阳极;
设置在所述阳极上的有机功能层;以及
设置在所述有机功能层上的阴极;其中
所述阳极在靠近所述有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阳极包括
由像素界定层围绕的第一阳极;
贯通所述第一阳极远离像素界定层的部分的第一沟槽;
设置在所述第一沟槽中的第二阳极,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻。
3.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阳极包括
由像素界定层围绕的第一阳极;
在所述第一阳极远离像素界定层的部分设置第二沟槽,所述第二沟槽的深度小于所述第一阳极的厚度;
设置在所述第二沟槽中的第二阳极,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻。
4.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阳极包括
由像素界定层围绕的第一阳极;
贯通所述第一阳极远离像素界定层的部分的第一沟槽;
设置在所述第一沟槽中的第三阳极,所述第三阳极的厚度小于所述第一阳极的厚度;
设置在所述第一沟槽中的第二阳极,所述第二阳极位于所述第三阳极靠近所述有机功能层一侧,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻和第三阳极的方阻。
5.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,
所述第二阳极的方阻>所述第一阳极的方阻>所述第三阳极的方阻。
6.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-5中任一项所述的OLED显示基板。
7.一种制作OLED显示基板的方法,其特征在于,包括
在衬底上形成TFT结构;
在所述TFT结构上形成平坦化层;
在所述平坦化层上形成阳极层和围绕所述阳极层的像素界定层,其中所述阳极层在靠近有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻;
在所述阳极层上形成有机功能层;以及
在所述有机功能层上形成阴极。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述平坦化层上形成阳极层和围绕所述阳极层的像素界定层,其中所述阳极层在靠近有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻包括:
在所述阳极层远离像素界定层的区域形成贯通其的第一沟槽,露出所述平坦化层,剩余所述阳极层为第一阳极;
在所述第一沟槽中形成第二阳极,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述平坦化层上形成阳极层和围绕所述阳极层的像素界定层,其中所述阳极层在靠近有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻包括:
在所述阳极层远离像素界定层的区域形成第二沟槽,所述第二沟槽的深度小于所述阳极层的厚度,剩余所述阳极层为第一阳极;
在所述第二沟槽中形成第二阳极,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的