[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811114731.3 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110943129A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 冯鹏;陈面国 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，其中所述半导体衬底中包括导电沟道；以及
栅极结构，位于所述导电沟道之上，其中所述栅极结构对应的所述导电沟道中设置有反态掺杂区，所述反态掺杂区的长度小于所述导电沟道的长度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底中还包括位于所述导电沟道两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，所述反态掺杂区与所述第一掺杂区和/或所述第二掺杂区中掺杂离子的类型相同。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底中还包括：
第一轻掺杂区，位于靠近所述第一掺杂区一侧；以及
第二轻掺杂区，位于靠近所述第二掺杂区一侧。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述反态掺杂区与所述第一轻掺杂区和/或所述第二轻掺杂区中掺杂离子的类型相同。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述反态掺杂区的长度与所述导电沟道的长度的比值为0.5～0.8。
6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底进行第一次离子注入，形成反态掺杂区；
对具有反态掺杂区的半导体衬底进行第二次离子注入，形成阱；
在所述半导体衬底的反态掺杂区上形成栅极结构，所述栅极结构下方的所述半导体衬底中形成导电沟道，所述反态掺杂区的长度小于所述导电沟道的长度。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入与所述第二次离子注入的离子类型相反。
8.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入的能量范围为30～35KeV，离子浓度范围为1.5E12～1.9E12每平方厘米。
9.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入形成的所述反态掺杂区的长度占所述导电沟道的长度的比值为0.5～0.8。
10.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二次离子注入的能量为130～160KeV，离子浓度为1.5E13～3E13每平方厘米。
11.如权利要求6-10中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成栅极结构之后，还包括：
在所述导电沟道的两侧进行第三次离子注入，分别形成第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；
在所述导电沟道中靠近所述第一轻掺杂区和第二轻掺杂区的位置进行第四次离子注入，形成第一掺杂区和第二掺杂区；
其中所述第一轻掺杂区靠近所述第一掺杂区一侧，所述第二轻掺杂区靠近所述第二掺杂区一侧。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入与所述第三次离子注入的离子类型相同。
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