[发明专利]半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

在基底上形成第一氧化硅层；以及

通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；

其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为3～5:1，通过所述硅化物的分解和与所述氧气的反应沉积所述第二氧化硅层，通过所述射频功率和所述流量比使得所述硅化物充分分解，使所述第二氧化硅层表面的-H和-OH含量降低形成疏水性表面；

所述第二氧化硅层的厚度小于所述第一氧化硅层的厚度，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的总厚度为40～2000nm，所述第二氧化硅层的厚度占所述总厚度的3～10%。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积工艺为化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅化物为正硅酸乙酯或硅烷。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅层的射频功率为500～800W，流量比为1～3:1；所述流量比是氧气与硅化物的流量比。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅层的沉积工艺为化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅化物为正硅酸乙酯或硅烷，通过硅化物的分解和氧气的反应沉积所述第一氧化硅层。

7.根据权利要求3或6所述的方法，其特征在于，所述硅化物的流量为1000～4000sccm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化硅层通过一次或多次沉积形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底上设置有至少一层介质层，所述第一氧化硅层形成于所述介质层上。

10.一种半导体结构，包括表面氧化硅膜，所述表面氧化硅膜包括第一氧化硅层和设置于所述第一氧化硅层上的第二氧化硅层，所述第二氧化硅层的厚度小于所述第一氧化硅层的厚度，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的总厚度为40～2000nm，所述第二氧化硅层的厚度占所述总厚度的3～10%，所述第二氧化硅层通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上沉积形成，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为3～5:1，通过所述硅化物的分解和与所述氧气的反应沉积所述第二氧化硅层，通过所述射频功率和所述流量比使得所述硅化物充分分解，使所述第二氧化硅层表面的-H和-OH含量降低形成疏水性表面。

11.一种在晶圆上形成氧化硅膜的方法，包括：

在所述晶圆上形成第一氧化硅层；以及

通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上沉积形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层的厚度小于所述第一氧化硅层的厚度，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的总厚度为40～2000nm，所述第二氧化硅层的厚度占所述总厚度的3～10%；

其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为3～5:1，通过所述硅化物的分解和与所述氧气的反应沉积所述第二氧化硅层，通过所述射频功率和所述流量比使得所述硅化物充分分解，使所述第二氧化硅层表面的-H和-OH含量降低形成疏水性表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述晶圆上设置有叠置的底层氧化硅层、第一氮化硅层、氮化钛层和第二氮化硅层，所述第一氧化硅层形成于所述第二氮化硅层上，所述第二氧化硅层沉积于所述第一氧化硅层上。