[发明专利]集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法有效

专利信息
申请号: 201811112697.6 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109388864B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 徐靖 申请(专利权)人: 嘉兴倚韦电子科技有限公司
主分类号: G06F30/3323 分类号: G06F30/3323;G06F30/323
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 程开生
地址: 314000 浙江省嘉兴市平湖市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 定制 物理 设计 高效 信号线 迁移 分析 方法
【说明书】:

发明公开了一种集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法,包括以下步骤。步骤S1:根据扁平式设计或者层次化设计对于寄生参数数据进行针对性检查。步骤S2:对于寄生参数数据进行格式转换。步骤S3:整理生成用于芯片设计的逻辑信息。步骤S4:根据经格式转换的寄生参数数据和用于芯片设计的逻辑信息生成属性信息。本发明公开的集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法,基于信号线的物理和逻辑关系并且根据逻辑信息、属性信息和寄生参数数据利用FIT计算方式获得信号线电迁移分析数据,能够提高设计效率,避免无效工作和减少设计迭代次数,缩短整个芯片设计周期。

技术领域

本发明属于集成电路设计自动化技术领域,具体涉及一种集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法。

背景技术

随着芯片设计规模越来越大,由于电迁移(EM)问题而出现金属互连线断裂、熔化导致芯片失效的风险越来越大。如果忽视它们的存在,在芯片的正常寿命时间内会引起金属线性能劣化,这些不良效应最终将造成代价不菲的现场故障和严重的产品可靠性问题。

目前,在常规的信号线电迁移分析方法里还没有一种高效的信号线电迁移分析流程,但却是目前半定制后端设计现状中需要迫切解决的技术难题。

发明内容

本发明针对现有技术的状况,克服上述缺陷,提供一种集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法。

本发明采用以下技术方案,所述集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法包括以下步骤:

步骤S1:根据扁平式设计或者层次化设计对于寄生参数数据进行针对性检查;

步骤S2:对于寄生参数数据进行格式转换;

步骤S3:整理生成用于芯片设计的逻辑信息;

步骤S4:根据经格式转换的寄生参数数据和用于芯片设计的逻辑信息生成属性信息;

步骤S5:根据属性信息得到计算结果,并且将上述计算结果反向标记到对应的信号线;

步骤S6:基于信号线的物理和逻辑关系并且根据逻辑信息、属性信息和寄生参数数据利用FIT计算方式获得信号线电迁移分析数据。

根据上述技术方案,步骤S6中的FIT计算方式的基本信息数据包括信号线的电流密度信息和信号线对应的温度信息。

根据上述技术方案,步骤S6具体包括以下步骤:

步骤S6.1:逻辑单元电阻电容整理;

步骤S6.2:上拉下拉网络生成;

步骤S6.3:电流密度计算;

步骤S6.4:建立信号网络模型数据;

步骤S6.5:计算矩阵点生成;

步骤S6.6:电源电压数据计算;

步骤S6.7:温度数据计算;

步骤S6.8:根据步骤S6.1至步骤S6.7生成信号线的电流密度信息和信号线对应的温度信息。

根据上述技术方案,步骤S1具体包括以下步骤:

判断寄生参数数据的设计类型,当寄生参数数据为模块级时进行数据整合,当寄生参数数据为独立完整设计时直接提取数据。

根据上述技术方案,步骤S3中的逻辑信息包括功能信息、连接关系信息、最小组成单元信息和使能有效信息。

根据上述技术方案,步骤S4中的属性信息包括信号线的传输延时信息、负载信息、频率信息和信号线切换流程信息。

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