[发明专利]一种新型储能电路在审

专利信息
申请号: 201811112117.3 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN110943499A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 胡春生 申请(专利权)人: 胡春生
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 电路
【权利要求书】:

1.一种新型储能电路包括储能电容(5)、二极管D1D2D3、电阻R1~R6和电容C1,其特征在于还包括单片机系统(1)、推挽驱动电路(2)、脉冲变压器T1、输出放大电路(3)、取样放大电路(4)、MOS管开关Q1Q2、功率电感L1、光耦O1O2;其中单片机系统(1)输出PWM1信号连接推挽驱动电路(2),推挽驱动电路(2)输出依次串接电容C1和脉冲变压器T1的初级线圈,再连接12V电源,脉冲变压器T1次级线圈输出的一端,通过电阻R1R2分压后,连接MOS管Q1的G极、二极管D1的负极, MOS管Q1的D极连接DC250V电源,S极连接脉冲变压器T1次极线圈的另一端、二极管D1的正极、D2的负极和功率电感L1;单片机系统(1)输出PWM2信号通过电阻R3驱动光耦O1,12V电源通过光耦O1开关输出经电阻R4限流后连接MOS管Q2的G极;DC250V电源经过MOS管Q1的D、S极,依次串接功率电感L1、二极管D3和储能电容(5)后连接地线,MOS管Q2的D极连接功率电感L1、二极管D3的正极,S极连接地线,二极管D2反向与功率电感L1、二极管D3、储能电容(5)三者串联电路并联连接;储能电容(5)正极经过电阻R5R6分压后连接取样放大电路(4),取样放大电路(4)连接光耦O2的输入端和反馈输出端,光耦O2的输出经输出放大电路(3)连接单片机系统(1)。

2.根据权利要求1所述一种新型储能电路,其特征在于单片机系统(1)输出PWM1信号经过推挽驱动电路(2)、脉冲变压器T1和电阻R1R2、二极管D1组成的驱动电路控制MOS管Q1开关;保持PWM2信号为低电平,PWM1信号高电平时,MOS管Q1导通,DC250V电源经过MOS管Q1、功率电感L1、二极管D3向储能电容(5)充电,并使功率电感L1储能;PWM1信号由高电平转换成低电平后,MOS管Q1截止,功率电感L1的储能经过二极管D2D3向储能电容(5)续流充电,储能电容(5)充电电压不高于250V。

3.根据权利要求1所述一种新型储能电路,其特征在于单片机系统(1)同步输出PWM1、PWM2脉冲控制信号,且PWM2脉宽小于PWM1脉宽,PWM1信号经过推挽驱动电路(2)、脉冲变压器T1和电阻R1R2、二极管D1控制MOS管Q1开关;PWM2信号经过光耦O1、电阻R3R4控制MOS管Q2开关;PWM1、PWM2信号同时为高电平时,MOS管Q1、Q2同时导通,DC250V电源电流经过MOS管Q1、功率电感L1和MOS管Q2到地线导通,使功率电感L1储能;PWM1信号保持高电平、PWM2信号由高电平变为低电平后,MOS管Q1导通、Q2截止,DC250V电源电流经过MOS管Q1、功率电感L1、二极管D3向储能电容(5)充电;同时,功率电感L1储能经过二极管D2D3释放,产生续流充电电流;电流电压的叠加可以产生高于250V电压的充电电流,使储能电容(5)储能电压大于250V,最大不超过500V。

4.根据权利要求1所述一种新型储能电路,其特征在于脉冲变压器T1选择初级线圈和次级线圈匝数相等的高频变压器,具有信号隔离作用,将高电压电源电路与低电压电源电路隔离。

5.根据权利要求1所述一种新型储能电路,其特征在于光耦O2选用具有反馈输出的线性光耦,使连接光耦O2的输出放大电路(3)的输出信号和取样放大电路(4)的输入信号成线性关系;光耦O1选用普通隔离开关光耦;光耦O1O2具有隔离作用,将高电压电源电路与低电压电源电路隔离。

6.根据权利要求1所述一种新型储能电路,其特征在于通过由光耦O2和相连接的输出放大电路(3)、取样放大电路(4)、电阻R5R6组成的储能电容(5)储能电压监测电路,单片机系统(1)可以实时监测储能电容(5)的储能电压;单片机系统(1)将储能电容(5)的储能电压设定值和实测值比较后,调节PWM1、PWM2信号输出,以权利要求2和3所述方式对储能电容(5)充电,储能电容(5)储能电压可以充电至不同的设定值,并保持稳定,最高不超过500V。

7.一种新型永磁式中高压断路器,其特征在于使用权利要求1至权利要求6所述的新型储能电路。

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