[发明专利]一种TFT的制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种TFT的制备方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底之上沉积缓冲层；在缓冲层表面沉积形成半导体层；对半导体层进行处理形成图案化半导体层，在刻蚀工艺中的导体化工艺处理时在NF₃和特定气体的环境中进行，以利用NF₃产生F*；在图案化半导体层表面形成绝缘层；通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中，形成稳定的图案化半导体层；通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中，形成稳定的图案化半导体层；依次制得栅极图案层和绝缘图案层、层间介质ILD层和源漏图案层。本发明实施例中制备的TFT金属离子掺杂氧化均匀，结构稳定。

技术领域

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种TFT的制备方法。

背景技术

近年来，氧化物半导体材料在大尺寸平板显示方面已得到广泛的应用，特别是铟镓锌氧化物(InGaZnO4，IGZO)因其低温制备工艺，低阈值电压、高迁移率及良好的大尺寸制备均匀性而广受人们的关注。非晶态氧化铟镓锌材料(Amorphous Indium Gallium ZincOxide，a-IGZO)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)结构的稳定性和可靠性，特别是在负偏压热应力(NBTS)下的可靠性是当前研究的热点。且在a-IGZO TFT结构中，相对于底栅(Bottom Gate)TFT结构,顶栅(Top Gate)TFT结构可以减少寄生电容的存在，具有良好的可扩展性，因此在大尺寸平板显示应用方面具有明显的优势。而目前顶栅TFT结构导体化处理是其关键，气体等离子处理虽有工艺简单，但稳定性较差，金属离子掺杂则存在氧化不均的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种TFT的制备方法，以解决目前TFT制备方法稳定性差，金属离子掺杂存在氧化不均的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

提供一衬底；

在所述衬底之上沉积缓冲层；

在所述缓冲层表面沉积形成半导体层，所述半导体层由金属氧化物材料形成；

依次利用黄光工艺和刻蚀工艺对所述半导体层进行处理形成图案化半导体层，在刻蚀工艺中的导体化工艺处理时采用NF₃和特定气体的环境中进行，以利用NF₃产生F*，所述特定气体为惰性气体或者N₂；

在所述图案化半导体层表面形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成栅极层；

通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中，形成稳定的图案化半导体层；

依次制得栅极图案层和绝缘图案层、层间介质ILD层和源漏图案层。

进一步的，所述依次制得栅极图案层和绝缘图案层、层间介质ILD层和源漏图案层，包括：

利用导体化工艺制得栅极图案层和绝缘图案层；

沉积形成ILD层；

在ILD层内制得源漏图案层。

进一步的，所述沉积形成ILD层包括：

采用等离子增强化学气相沉积工艺沉积层间介质ILD层，并在所述图案化半导体层的两侧形成掺杂区，所述ILD层覆盖所述缓冲层、所述图案化半导体层、所述栅极图案层和所述绝缘图案层。

进一步的，所述在ILD层内制得源漏图案层，包括：

对所述ILD层进行挖空；

在所述ILD层的挖空区域沉积形成源漏层，并利用黄光工艺和刻蚀工艺制得源漏图案层。

进一步的，所述在所述衬底之上沉积缓冲层，包括：