[发明专利]一种提升烧写EEPROM效率的方法

说明书

本发明公开了一种提升烧写EEPROM效率的方法，包括：按照EEPROM器件说明书设置回写周期t0＝T，其中T为标准回写周期；连续烧写两个字节的数据，其中一个字节的数据的烧写地址在前一页的最后一个字节，另一字节的数据的烧写地址在后一页的第一个字节，两个字节的数据的回写周期tn＝0.5t(n‑1)，其中n＝[1,2,…,N]；如果烧录成功，判断tn‑t(n‑1)是否小于8us，如果是，将tn加上设定的误差时间设置为实际的回写周期；否则，设置n＝n+1返回，进行循环迭代。本技术方案中首先实际测定EEPROM的实际回写周期，在将测得的实际回写周期作为跳页烧录时的中间时延，代替说明书上的标准回写周期的，尤其在批量烧录中，提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及电子产品技术领域，具体的说，是一种提升烧写EEPROM效率的方法。

背景技术

EEPROM作为一种稳定可靠、不易丢失的数据存储设备，被大量使用在电子产品中，来存储一些关键数据，如：电子设备的KEY、ID、MAC等。因为这些关键数据对于电子产品是独立唯一的，所以在工厂大批量生产过程中，需要对每台电子产品单独烧写。在烧EEPROM过程中，由于EEPROM器件属性决定，在每烧写完一页，需要等待一个回写周期，而回写周期占据整个页烧写周期的很大一部分时间。EEPROM厂家为了兼顾批量统一和可靠，在EEPROM器件说明中通常会给定一个比较大的回写周期和较长的回写周期延时等待，导致在工厂流水线生产的过程中，烧写EEPROM时间过长，生产效率会降低。当前EEPROM厂家为了兼顾批量的差异性，所给的规格参数比较大，而电子产品的烧写过程中为了兼顾多家EEPROM，所设定的参数更大。导致整个批量生产过程中烧写过程变得更长。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升烧写EEPROM效率的方法，用于解决现有技术中EERPOM的缮写周期参数设置较大，导致批量生产中烧写过程较长的问题。

本发明通过下述技术方案解决上述问题：

一种提升烧写EEPROM效率的方法，包括：

步骤S100)：测量EEPROM的实际回写周期；

步骤S200)：将测得的实际回写周期代替标准回写周期。

当前EEPROM器件说明书中给出的标准回写周期是固定时间，且大于实际的回写周期，因此，在批量烧录EEPROM时，增加了时间，降低了批量生产的效率。为此，本技术方案中首先实际测定EEPROM的实际回写周期，在将测得的实际回写周期作为跳页烧录时的中间时延，代替说明书上的标准回写周期的，尤其在批量烧录中，提高了生产效率。

进一步地，所述步骤S100)具体包括：

步骤S110)：按照EEPROM器件说明书设置回写周期t0＝T，其中T为标准回写周期；

步骤S120)：连续烧写两个字节的数据，其中一个字节的数据的烧写地址在前一页的最后一个字节，另一字节的数据的烧写地址在后一页的第一个字节，两个字节的数据的回写周期tn＝0.5t(n-1)，其中n＝[1,2,…,N]；

步骤S130)：判断是否烧录成功，如果烧录成功，进入下一步；否则进入步骤S150)；

步骤S140)：判断tn-t(n-1)是否小于8us，如果是，进入步骤S150)；否则，设置n＝n+1返回步骤S120)；

步骤S150)：将tn加上设定的误差时间设置为实际的回写周期。

当前很多厂家EEPROM器件说明书中回写周期给定的是固定时间，但是每片EEPROM实际的回写周期肯定是小于这个时间，而且每一片又各不相同。在烧写整片EEPROM之前，根据EEPROM在跳页烧写的时候，如果中间的延时小于实际回写周期的时间，将会写失败。根据这个特性，采用循环迭代来测试其实际回写周期，方法如下：