[发明专利]存储器系统及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201811108887.0 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN110120240A 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 李熙烈;权景喆 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10;G11C16/12;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;赵赫
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 存储器系统 存储器装置 存储 编程操作期间 存储器控制器 控制存储器 编程操作 写入请求 主机接收 编程 响应
【权利要求书】:

1.一种存储器系统,包括:

存储器装置,包括存储块,所述存储块包括多个串;以及

存储器控制器,响应于从主机接收的写入请求,控制所述存储器装置对所述存储块执行编程操作,

其中所述存储器装置在所述编程操作期间通过顺序地选择串来对所述多个串进行编程。

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述存储器装置进一步包括:

外围电路,对所述存储块执行所述编程操作;以及

控制逻辑,响应于从所述存储器控制器输出的命令和地址来控制所述外围电路。

3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述外围电路包括:

电压生成电路,响应于从所述控制逻辑输出的操作信号来生成操作电压;

行解码器,响应于行地址来将所述操作电压传送到所述存储块的字线;以及

页面缓冲器组,包括多个页面缓冲器,

其中所述页面缓冲器组响应于从所述控制逻辑输出的页面缓冲器控制信号,基于在所述编程操作中待被编程的数据来控制所述存储块的位线的电位电平。

4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中所述多个页面缓冲器在所述编程操作期间被顺序地激活,并且所述多个页面缓冲器中被激活的页面缓冲器基于待被编程的数据来控制所述位线中对应位线的电位电平。

5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中所述多个页面缓冲器中被去激活的剩余页面缓冲器将编程禁止电压施加到对应位线。

6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述存储块包括多个页面。

7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中在所述编程操作期间,所述存储器装置执行编程最低有效位数据即LSB数据的第一编程操作和编程最高有效位数据即MSB数据的第二编程操作。

8.根据权利要求7所述的存储器系统,其中所述存储器装置:

执行所述第一编程操作,使得在通过顺序地选择包括在所述多个页面的第一页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作之后,通过顺序地选择包括在所述多个页面的第二页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作,并且

在所述第一编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第一页面中的存储器单元来执行所述第二编程操作。

9.根据权利要求6所述的存储器系统,其中在所述编程操作期间,所述存储器装置执行编程最低有效位数据即LSB数据的第一编程操作、编程中央有效位数据即CSB数据的第二编程操作以及编程最高有效位数据即MSB数据的第三编程操作。

10.根据权利要求9所述的存储器系统,其中所述存储器装置:

执行所述第一编程操作,使得在通过顺序地选择包括在所述多个页面的第一页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作之后,通过顺序地选择包括在所述多个页面的第二页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作,

在所述第一编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第一页面中的存储器单元来执行所述第二编程操作,并且

在所述第二编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第一页面中的存储器单元来执行所述第三编程操作。

11.根据权利要求10所述的存储器系统,其中在对所述第一页面执行所述第三编程操作之后,所述存储器装置:

通过顺序地选择包括在所述多个页面的第三页面中的存储器单元来执行所述第一编程操作,

在所述第一编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第二页面中的存储器单元来执行所述第二编程操作,并且

在所述第二编程操作之后通过顺序地选择包括在所述第二页面中的存储器单元来执行所述第三编程操作。

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