[发明专利]一种双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法

权利要求书

1.一种双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)形成底电极

将透明导电玻璃依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗，再经紫外臭氧处理，得到洁净的透明导电玻璃衬底；

(2)形成电子传输层

在缓冲层上形成一层电子传输层；

(3)形成钙钛矿吸收层

在电子传输层上旋涂钙钛矿薄膜，并将膜置于真空室中3秒钟以通过除去残余溶剂来促进钙钛矿成核，在环境空气中进行旋涂工艺；以4000rpm的转速旋转50秒，然后以2000rpm的速度旋转18秒，在150℃的温度下退火15分钟，形成钙钛矿吸收层。

(4)形成空穴传输层

在钙钛矿吸收层上形成空穴传输层；

(5)形成纳米缓冲层

使用溶胶凝胶法在透明导电玻璃衬底上旋涂形成纳米二氧化钛颗粒,再经过室温干燥去除多余溶剂，随后通过水热法在其上形成一层二氧化钼层，并缓慢升温至60℃进行烘干处理，形成纳米TiO₂/MoO₂缓冲层；

(6)形成顶电极

使用蒸镀方法，在上述多层膜上蒸镀顶电极层；

(7)形成抗反射层

使用蒸发法在顶电极上形成一层抗反射层。

2.如权利要求1所述的双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，所述透明导电玻璃选自铟锡氧化物(ITO)、氟锡氧化物(FTO)或铝锌氧化物(AZO)，其厚度在100nm-150nm之间。

3.如权利要求1所述的双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，所述电子传输层选自TiO、ZnSnO、CsCO、BaTiO、SrTiO、MgTiO、BaSnO、SnO、ZnO或CdS。

4.如权利要求1所述的双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，所述空穴传输层选自掺杂或未掺杂的NiO、CuO、PbS、VO、MoO、CuSCN或CuI。

5.如权利要求1所述的双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，所述空穴传输层为p型铜铁矿结构的掺杂或未掺杂的AMO型半导体材料，其中，A选自Cu或Ag，M选自Cr、Ga、Al、Sc、In、Y或Fe，掺杂元素选自Mg、Ca或Ga中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，顶电极选自金、银、铜、铝或导电碳材料。

7.如权利要求1所述的双缓冲层钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，所述顶电极通过真空镀膜、以及溶液成膜方法制备。