[发明专利]一种超薄芯片背面金属溅射的方法

权利要求书

1.一种超薄芯片背面金属溅射的方法，其特征在于：

所述方法至少包括以下步骤：

(a)制作的片托用于承片，制作的机械手臂用于DCM传动，改造片筐适用于超薄芯片；

(b)更换三个腔室的靶材，设定好预设的工艺条件，做设备PM恢复后验证；

(c)将清洗后的超薄芯片放置于片托上；

(d)将装有超薄芯片的片托放入溅射台片筐内，调整放片方向防止超薄芯片在传动过程出现位移；背面溅射工艺的选择；本底真空达到1E-7torr以上，衬底温度采用室温，溅射功率及电离气体压力依据不同金属特性分别确定；本方法采用直流溅射，直流溅射工艺利用氩气电离通过电场加速实现金属的致密化淀积；

(e)调整片筐升降台角度，以便有利于超薄芯片传动；

(f)选择片齿运行设备；

(g)将完成溅射的超薄芯片从片托上取下放入传片筐待传；

所制作的片托使用石英材质或金属材质，形状与超薄芯片相似，较超薄芯片尺寸大，可以用来限制超薄芯片位置；

改造的机械手与原机械手形状完全一致，机械手承片台边缘大于片托以便片托可以刚好落入机械手承片台上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

改造的片筐为13齿片筐，以防止因超薄芯片翘曲引起的传动异常。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

放片方法上要求超薄芯片平边与片托平边平行。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于：

放片方法上要求片托平边与片筐平边呈45°角。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：片筐升降台角度需要根据片筐进行调整，以便于机械手从片筐中将片托取出。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

背面金属材料选择如下：

第一种是纯铝，作为与硅直接接触的第一种材料，第二种是镍矾合金，作为背面金属的中间材料，第三种是纯银，作为背面金属的表层材料。