[发明专利]紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法

说明书

紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法。紫外线受光元件具有：第1光电二极管，设于半导体衬底的第1区域，包含第1导电型的第1阱注入层、设于第1阱注入层内的第2导电型的第1嵌入注入层和设于第1嵌入注入层内的半导体衬底表面处的第1导电型的第1表面注入层，对于紫外线有敏感度；第2光电二极管，设于半导体衬底的第2区域，包含第1导电型的第2阱注入层、设于第2阱注入层内的第2导电型的第2嵌入注入层和设于第2嵌入注入层内的半导体衬底表面处的第1导电型的第2表面注入层，对于紫外线没有敏感度，第2阱注入层的峰值浓度位置比第1阱注入层的峰值浓度位置深与半导体衬底表面到第2表面注入层的峰值浓度位置的深度相等的深度。

技术领域

本发明涉及紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法。

背景技术

平时，在地面上，从太阳照射的光中包含大范围的波长的光，其范围包含300nm至2500nm的紫外线、可见光和红外线。已知该光中的紫外线对人体带来晒伤和皮肤癌等的影响。

近年来，为了测量由于该紫外线引起的影响，对能够检测紫外线的强度的传感器的开发充满期待。

已提出如下紫外线受光元件：为了选择性地仅对于紫外线具有敏感度，在基于半导体的受光元件中，设置对于紫外线具有敏感度的光电二极管和对于紫外线不具有敏感度的光电二极管，通过计算从各光电二极管获得的输出电流的差分，检测紫外线(例如，参照专利文献1和非专利文献1)。

在这样的现有的紫外线受光元件中，在半导体衬底上设置两个光电二极管，在各光电二极管中，在各阱注入层内的半导体衬底表面形成较浅的杂质注入层，使该两个杂质注入层到半导体衬底表面的峰值浓度位置分别设为不同的位置，由此，使一方成为对于紫外线具有敏感度的光电二极管、另一方成为对于紫外线不具有敏感度的光电二极管。

另外，在现有的紫外线受光元件中，对于紫外线不具有敏感度的光电二极管中的阱注入层到半导体表面的峰值浓度位置被设置成与对于紫外线具有敏感度的光电二极管中的阱注入层到半导体表面的峰值浓度位置相等或者比其更深。

专利文献1：国际公开第2015/151198号

非专利文献1：Y.R.Sipauba Carvalho da Silva et al.，“An ultravioletradiation sensor using differential spectral response of siliconphotodiodes”，2015IEEE SENSORS，pp.1－4.

但是，在现有的紫外线受光元件中，未提出如何决定对于紫外线不具有敏感度的光电二极管中的阱注入层到半导体表面的峰值浓度位置，如果仅通过单纯地如上述那样使对于紫外线具有敏感度的光电二极管中的阱注入层到半导体表面的峰值浓度位置变深，则可见光区域中的光谱敏感度有时会增大。

发明内容

因此，本发明的课题的目的在于提供一种能够减少可见光区域中的光谱敏感度的紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法。

本发明的一个方式的紫外线受光元件的特征在于，具有：第1光电二极管，其配置于半导体衬底的第1区域，包含第1导电型的第1阱注入层、设置于所述第1阱注入层内的第2导电型的第1嵌入注入层、以及设置于所述第1嵌入注入层内的所述半导体衬底表面处的第1导电型的第1表面注入层，对于紫外线具有敏感度；以及第2光电二极管，其配置于所述半导体衬底的第2区域，包含第1导电型的第2阱注入层、设置于所述第2阱注入层内的第2导电型的第2嵌入注入层、以及设置于所述第2嵌入注入层内的所述半导体衬底表面处的第1导电型的第2表面注入层，对于紫外线不具有敏感度，所述第2阱注入层的峰值浓度位置比所述第1阱注入层的峰值浓度位置深与从所述半导体衬底表面到所述第2表面注入层的峰值浓度位置的深度相等的深度。