[发明专利]一种Au-Pd双金属薄膜修饰电极

权利要求书

1.一种Au-Pd双金属薄膜修饰电极，其特征在于，该Au-Pd双金属薄膜修饰电极的制备方法包括以下步骤：

1)将玻碳电极置于HCl和PdCl₂的混合溶液中，在-0.3V～0.8V(VS.SCE)的电位区间内以10～15mV/s的速率连续扫描10～15min，即得纳米结构Pd薄膜修饰电极；

2)将步骤1)制得的纳米结构Pd薄膜修饰电极置于H₂SO₄溶液中，在0V(VS.RHE)恒电位下极化5～8min，接着快速取出该电极并转移到HAuCl₄溶液中，静置10～15min，即得所述Au-Pd双金属薄膜修饰电极。

2.根据权利要求1所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，步骤1)中，在将玻碳电极置于HCl和PdCl₂的混合溶液中前，还包括对玻碳电极预处理的步骤。

3.根据权利要求2所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，所述对玻碳电极预处理的步骤包括：将玻碳电极用Al₂O₃抛光膏抛光至镜面亮度，去离子水冲洗干净后，放在2～5mol/L HNO₃溶液中超声处理3～5min，再次用去离子水冲洗干净。

4.根据权利要求1所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，步骤1)中，所述混合溶液中，HCl的浓度为1～1.5mmol/L，PdCl₂的浓度为0.2～0.5mmol/L。

5.根据权利要求1所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，所述混合溶液中，步骤2)中，HAuCl₄溶液的浓度为0.2～0.5mmol/L。