[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一基底，于所述基底上形成目标材料层；

2)采用定向自组装方法于所述目标材料层上形成自动分层的嵌段共聚物层，分层后的所述嵌段共聚物层包括聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层及聚苯乙烯层，所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层定义出初始图形结构的位置及形状；

3)去除所述聚苯乙烯层；

4)依据所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层刻蚀所述目标材料层，以形成初始图形结构；去除所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层；

5)于步骤4)所得结构的表面形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述初始图形结构；

6)提供一二元式光掩膜版，所述二元式光掩膜版内形成有修正图形；

7)依据所述二元式光掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影，以得到图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层内形成有所述修正图形；

8)依据所述图形化光刻胶层对所述初始图形结构进行修正，以得到目标图形结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中提供的所述基底包括晶圆。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤2)中，采用定向自组装方法于所述目标材料层上形成自动分层的嵌段共聚物层包括如下步骤：

2-1)于所述目标材料层上形成嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层包括聚乙烯甲基丙烯酸甲酯及聚苯乙烯；

2-2)采用光照或者加热的方式使所述嵌段共聚物层中的所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯及所述聚苯乙烯自动分层，以形成分离的所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层及所述聚苯乙烯层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤2-1)中，所述嵌段共聚物层中还包括氧化还原剂、感光剂及金属离子中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤2)中，分层后的所述嵌段共聚物层包括若干个呈条状分布的所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层及若干个呈条状分布的所述聚苯乙烯层，且沿平行于所述目标材料层表面的方向，所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层与所述聚苯乙烯层交替排布。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯层的宽度与所述聚苯乙烯层的宽度相同。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用盐酸溶液去除所述聚苯乙烯层，或采用丙二醇单甲基醚醋酸酯和丙二醇单甲基醚的混合液去除所述聚苯乙烯层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤8)中，依据所述图形化光刻胶层采用刻蚀工艺对所述初始图形结构进行修正。