[发明专利]半导体存储器电容连接线结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面包含若干个间隔排布的有源区，在所述半导体衬底上形成有若干连接所述有源区的位线；

2)在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层填满所述位线之间的间隙及所述位线外侧区域；

3)在所述层间介质层内形成第一电容连接孔，所述第一电容连接孔分布于所述位线之间的部分所述有源区上，并暴露出部分所述有源区；

4)在所述第一电容连接孔内形成牺牲介质层，所述牺牲介质层至少填满所述第一电容连接孔；

5)在所述层间介质层内形成第二电容连接孔，所述第二电容连接孔分布于所述位线之间的部分所述有源区上，并暴露出部分所述有源区，且通过所述层间介质层与所述第一电容连接孔分隔；及

6)去除所述牺牲介质层，并在所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔中形成导电层，所述导电层填满所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔，分别形成第一电容连接线结构和第二电容连接线结构。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤6)中，在所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔中形成导电层之前，还包括在所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔的侧壁表面形成隔离介质层的步骤。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤6)中所形成的所述隔离介质层至少包含第一隔离介质层和第二隔离介质层，所述第一隔离介质层形成于所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔的侧壁表面，所述第二隔离介质层形成于所述第一隔离介质层的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，形成所述第一电容连接孔的方法包括在所述层间介质层及所述位线的上方形成图形化的刻蚀阻挡层，以所述刻蚀阻挡层作为刻蚀掩膜，通过干法刻蚀形成所述第一电容连接孔。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤5)中，形成所述第二电容连接孔的方法包括在所述层间介质层、所述位线及所述牺牲介质层的上方形成图形化的刻蚀阻挡层，以所述刻蚀阻挡层作为刻蚀掩膜，通过干法刻蚀形成所述第二电容连接孔。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤4)中形成的所述牺牲介质层，除了填满所述第一电容连接孔，还分布于所述层间介质层的表面；在步骤5)中，通过干法刻蚀形成所述第二电容连接孔时，图形化的所述刻蚀阻挡层形成于所述牺牲介质层的表面，所述干法刻蚀还去除暴露出的部分所述牺牲介质层。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤6)中所形成的所述导电层至少包含第一导电层和第二导电层，所述第一导电层位于所述有源区的上方，所述第二导电层位于所述第一导电层的上方。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，在所述半导体衬底上形成所述位线前，还包括于所述半导体衬底内依次形成浅沟槽隔离结构及埋入式字线的步骤，所述若干有源区由所述浅沟槽隔离结构隔离。