[发明专利]发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置，其中方法包括；在待刻蚀金属膜层上涂覆光刻胶、曝光并显影；采用预设刻蚀条件对所述金属层进行刻蚀；所述预设刻蚀条件包括：刻蚀气体包括流量大于60sccm的三氯化硼、刻蚀气体包括氩气以及偏置电源的功率大于或等于300W中的至少之一的刻蚀条件。上述刻蚀条件可以增强物理刻蚀，增强物理刻蚀可以较为有效的去除氯与金属反应后生长在刻蚀侧壁的刻蚀副产物，以便于后续膜层的填充，提高金属膜层的电性能和后续膜层的成膜质量，进而提高产品良率和可靠性。可以进一步加强金属膜层侧壁副产物的去除。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置。

背景技术

在传统的OLED显示领域通常采用氯基气体对OLED显示器件中的金属层例如：铝(Al)、钛(Ti)等金属进行刻蚀可以取得较好的刻蚀效果。随着新工艺新版图的不断出现，产品的图形密度逐渐变大，线条的形貌逐渐复杂化。

采用现有的氯基气体对OLED显示器件中的金属层进行刻蚀时会出现金属膜层电学性能下降，后续成膜质量下降，严重影响器件的良率和可靠性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置，以提高发光显示器件的良率和可靠性。

为此，本发明实施例提供了如下技术方案：一种刻蚀方法，包括；在待刻蚀金属膜层上涂覆光刻胶、曝光并显影；采用预设刻蚀条件对所述金属层进行刻蚀；所述预设刻蚀条件包括：刻蚀气体包括流量大于60sccm的三氯化硼、刻蚀气体包括氩气以及偏置电源的功率大于或等于300W中的至少之一的刻蚀条件。

可选地，所述偏置电源的功率为300W-450W。

可选地，所述三氯化硼的流量为100sccm-150sccm。

可选地，所述刻蚀气体包括：氯气，所述氯气的流量为所述三氯化硼的流量的1-1.5倍。

可选地，所述氩气的流量小于或等于所述三氯化硼的流量。

可选地，所述预设刻蚀条件还包括：刻蚀压力的范围为3mTorr-8mTorr。

可选地，在待刻蚀金属层上涂覆光刻胶、曝光并显影包括：在待刻蚀金属层上涂覆光刻胶；基于掩膜对所述光刻胶进行曝光；显影以暴露待刻蚀图形和待刻蚀金属膜层边缘无效区域。

可选地，所述预设刻蚀条件还包括：刻蚀温度为60℃-250℃。

根据第二方面，本发明实施例提供了一种发光显示器件，所述显示模组的金属膜层采用第一方面任意一项描述的刻蚀方法制得。

根据第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述第二方面描述的发光显示器件。

本发明实施例提供了发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置的有益效果如下：

1.采用功率为大于或等于300W的偏置电源，可以增大鞘层电压，加强偏置电源对射频电源电离出的等离子的吸引，进而可以增大物理刻蚀中等离子的速度，增强物理刻蚀；由于三氯化硼的分子质量较大，电离后产生的等离子体较重，在进行物理刻蚀时，可以增大离子轰击的力度，因此，增大三氯化硼的气体流量，可以增强物理刻蚀效果，由于氩原子的原子质量较大，电离后产生的等离子体较重，在进行物理刻蚀时，可以增大离子轰击的力度，因此，加入部分的氩气，可以增强物理刻蚀效果；增强物理刻蚀可以较为有效的去除氯与金属反应后生长在刻蚀侧壁的刻蚀副产物，以便于后续膜层的填充，提高金属膜层的电性能和后续膜层的成膜质量，进而提高产品良率和可靠性。可以进一步加强金属膜层侧壁副产物的去除。