[发明专利]电导池一阶阻容系统参数的渐消记忆辨识方法在审

专利信息
申请号: 201811095688.0 申请日: 2018-09-19
公开(公告)号: CN109324087A 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 张耿霖;张立勇;李霞;苏龙平;杜子兮 申请(专利权)人: 大连九州创智科技有限公司;大连理工大学
主分类号: G01N27/06 分类号: G01N27/06
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李洪福
地址: 116000 辽宁省大连市甘井子区凌*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 电导池 一阶 阻容 系统参数 辨识 引线分布电容 溶液电导率 差分方程模型 系统响应信号 电导率 抗干扰能力 软测量技术 最小二乘法 采样时刻 采样信号 高速采样 激励信号 溶液电阻 在线测量 组合信号 慢时变 递推 时域 正弦 测量 转化
【权利要求书】:

1.一种电导池一阶阻容系统参数的渐消记忆辨识方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,将电导池等效为考虑引线分布电容影响的一阶阻容系统,建立电导池一阶等效阻容系统的时域差分方程模型

y(k)=a1y(k-1)+b0u(k), (4)

其中,Rx为溶液电阻,Cp为引线分布电容,R1为分压电阻,Ts为采样周期;

S2,采用由角频率分别为w,2w,…,2qw的正弦信号叠加而成的正弦组合激励信号

激励电导池系统,其中q为整数且q≥1;按采样周期Ts分别对正弦组合激励信号和系统响应信号进行高速采样,分别得到采样信号u(k)和y(k),k=1,2,…;

S3,伴随着采样的进行,启动针对时域差分方程模型式(4)的渐消记忆递推最小二乘法式(7)-式(9):

其中,I为单位阵,ρ为遗忘因子,即获得a1和b0的估计值和k=1,2,…;通过

即得Cp和Rx的估计值和k=1,2,…。

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