[发明专利]一种氮化铝膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811094398.4 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285761A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;慈海娜;高鹏 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯纳米片 垂直结构 氮化铝膜 制备 氮化铝薄膜 缓冲层 氮化铝 石墨烯 原子级 平整 生长 | ||
1.一种氮化铝膜的制备方法，包括：
提供垂直结构石墨烯纳米片；以及
在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯纳米片垂直生长于基底上，所述基底为耐高温玻璃。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述耐高温玻璃选自石英玻璃、蓝宝石玻璃或耐高温硼硅玻璃。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述垂直结构石墨烯纳米片通过直流等离子体增强化学气相沉积形成于所述基底，形成温度为580℃～1000℃。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述垂直结构石墨烯纳米片的生长过程中，生长时间为3～15分钟；或者所使用的碳源与氢气的流量比为(20～50):20。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述垂直结构石墨烯纳米片的生长过程中，所施加的功率为80～1000W。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述垂直结构石墨烯纳米片的生长过程中，气体压强为200～1000Pa。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述氮化铝膜通过金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延或溅射法形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化铝膜通过高温-金属有机化学气相沉积法生长形成，三甲基铝作为铝源，氨气作为氮源，氮气/氢气作为反应载气。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述氮化铝膜的生长气压为30～100Torr，气体流量为氨气500～2000sccm、三甲基铝50～120sccm，生长温度为1200℃，生长时间2h。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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