[发明专利]自发光型显示屏及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811093380.2 申请日: 2018-09-19
公开(公告)号: CN109256489B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 罗程远 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 显示屏 及其 制造 方法
【说明书】:

发明公开了一种自发光型显示屏及其制造方法,属于显示技术领域。自发光型显示屏具有显示区域和位于显示区域周围呈封闭环状的非显示区域,自发光型显示屏包括:衬底基板,以及依次设置在衬底基板上的自发光器件和封装层;可伸缩挡墙结构,可伸缩挡墙结构位于显示区域周围,呈封闭环状,可伸缩挡墙结构设置在非显示区域内的封装层平行于衬底基板的一侧,封装层在目标区域内断裂,目标区域位于可伸缩挡墙结构在封装层的正投影所在区域内。本发明在对显示屏母板进行激光切割的过程中,即使高温导致封装层的切割边缘出现裂纹,由于非显示区域内的封装层已断裂,该裂纹无法延伸至显示区域内的封装层,提高了对自发光型显示屏的封装可靠性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种自发光型显示屏及其制造方法。

背景技术

目前,在自发光型显示屏的制造过程中,通常是先在衬底基板上依次制备自发光器件和封装层以得到显示屏母板,显示屏母板包括阵列排布的多个自发光型显示屏,再对显示屏母板进行切割得到自发光型显示屏。其中,自发光器件包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件和量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,QLED)器件等。

相关技术中,通常采用激光切割方式对显示屏母板进行切割以得到多个自发光型显示屏。该切割过程包括:采用激光束从显示屏母板的封装层所在侧对显示屏母板进行切割,以得到多个自发光型显示屏。

但是,在采用激光束对显示屏母板进行切割的过程中,显示屏母板的切割位置会产生较高的温度,由于封装层一般由无机材料(例如陶瓷类材料)制备得到,高温会导致封装层的切割边缘出现裂纹,封装层上的裂纹可能会延伸至自发光型显示屏的显示区域,导致封装层无法隔绝水氧,水氧侵入自发光器件后会使得发光材料失效,影响自发光型显示屏的显示可靠性。

发明内容

本发明实施例提供了一种自发光型显示屏及其制造方法,可以解决相关技术中封装层上的裂纹可能会延伸至自发光型显示屏的显示区域,导致发光材料失效的问题。所述技术方案如下:

第一方面,提供了一种自发光型显示屏,所述自发光型显示屏具有显示区域和位于所述显示区域周围呈封闭环状的非显示区域,所述自发光型显示屏包括:

衬底基板,以及依次设置在所述衬底基板上的自发光器件和封装层;

可伸缩挡墙结构,所述可伸缩挡墙结构位于所述显示区域周围,呈封闭环状,所述可伸缩挡墙结构设置在所述非显示区域内的封装层平行于所述衬底基板的一侧,所述封装层在目标区域内断裂,所述目标区域位于所述可伸缩挡墙结构在所述封装层的正投影所在区域内。

可选的,所述可伸缩挡墙结构位于所述自发光器件与所述封装层之间;所述可伸缩挡墙结构包括可伸长挡墙。

可选的,所述可伸缩挡墙结构还包括可压缩挡墙,所述可压缩挡墙与所述可伸长挡墙相邻设置,且所述可压缩挡墙的高度不大于所述可伸长挡墙的高度。

可选的,所述自发光型显示屏还包括至少两个加固墙;

所述可伸缩挡墙结构靠近所述显示区域的一侧以及远离所述显示区域的一侧均设置有所述加固墙,且每个所述加固墙均位于所述非显示区域内。

可选的,所述可伸缩挡墙结构位于所述封装层远离所述自发光器件的一侧,位于所述非显示区域内的所述自发光器件上设置有至少两个凹槽;

所述可伸缩挡墙结构包括至少两个可伸长挡墙和至少一个可压缩挡墙,每个所述可压缩挡墙位于相邻的两个所述可伸长挡墙之间,在指定物理条件下,所述可压缩挡墙的高度不小于所述可伸长挡墙的高度;

所述自发光型显示屏还包括施重挡墙,所述施重挡墙设置在所述可伸缩挡墙结构远离所述自发光器件的一侧;

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