[发明专利]低电容瞬变电压抑制器

权利要求书

1.一种瞬变电压抑制器器件，其特征在于，包括：

半导体区域的多个条形结构，沿半导体层的主平面上的第一方向水平排布，多个条形结构包括交替的第一掺杂类型的条形结构以及第二掺杂类型的条形结构，每个条形结构都在与第一方向上正交的第二方向上延伸，在一对相邻条形结构的第一部分中的半导体区域构成一个可控硅整流器，以及在一对邻近条形结构的第二部分中的半导体区域构成P-N结二极管，第一部分和第二部分排布在第二方向上，第二方向与半导体层主表面上第一方向正交；

其中多个条形结构限定在每一对相邻条形结构之间的电流传导区，每个电流传导区都包括可控硅整流器的第一电流通路以及P-N结二极管的第二电流通路，可控硅整流器的第一电流通路与每个电流传导区中P-N结二极管的第二电流通路在第二方向上隔开，第二方向与半导体层主表面上的第一方向正交。

2.如权利要求1所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，第一类型的多个条形结构的半导体区域电连接到一个参考节点，第二类型的多个条形结构的半导体区域电连接到受保护节点。

3.如权利要求1所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，半导体区域的多个条形结构，每个条形结构都包括：

第一掺杂区和相反导电类型的第二掺杂区，沿第二方向的长度排布，第二方向与半导体层主表面上的第一方向正交，第一掺杂区位于阱区中，阱区的导电类型相反，第二掺杂区形成在半导体层中；

其中第一类型的条形结构中的阱区和第二类型的条形结构的阱区具有相反的导电类型，并且其中每对相邻条形结构都包括一个第一类型的条形结构和一个第二类型的条形结构。

4.如权利要求3所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，半导体区域的多个条形结构包括：

一个第一类型的第一条形结构，第一条形结构包括第一导电类型的第一掺杂区，位于与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区中，以及第二导电类型的第二掺杂区，沿第一条形结构的长度排布，第二掺杂区在阱区的第一末端覆盖阱区；以及

一个第二类型的第二条形结构，第二条形结构包括第二导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的阱区中，第一导电类型的第二阱区沿第二条形结构的长度排布，第二掺杂区在阱区的第一末端覆盖阱区。

5.如权利要求4所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，第一条形结构还包括第二导电类型的第三掺杂区，覆盖阱区第二末端处的阱区，第二末端与第一末端相对，其长度沿第一条形结构；并且其中第二条形结构包括第一导电类型的第四掺杂区，覆盖阱区第二末端处的阱区，第二末端与第一末端相对，其长度沿第二条形结构。

6.如权利要求4所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，第一条形结构在半导体层中水平邻近第二条形结构，第一掺杂区和第一、第二条形结构的阱区构成可控硅整流器，第一和第二条形结构的第二掺杂区构成P-N结二极管。

7.如权利要求4所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，半导体层包括一个半导体衬底和一个第二导电类型的外延层，外延层形成在半导体衬底上，外延层为轻掺杂。

8.如权利要求4所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，第一导电类型由N-型导电类型构成，第二导电类型由P-型导电类型构成。

9.如权利要求3所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，多个条形结构中每个条形结构的阱区都要延长，以容纳每个条形结构中的第二掺杂区。

10.如权利要求4所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，还包括：

一个第一导电类型的第四掺杂区，形成在第一条形结构和第二条形结构之间的电流传导区中，第一条形结构在第二条形结构附近，第四掺杂区具有第一部分覆盖着第一条形结构的阱区，第二部分覆盖着第二条形结构的阱区。

11.如权利要求10所述的瞬变电压抑制器器件，其特征在于，还包括：

多个第四掺杂区，形成在第一条形结构和第二条形结构之间的电流传导区中。